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1、“+peld-”：电源灯。“+hd-”：硬盘灯。“+PW-”：开机键。“-RES+”：重启键。
2、中学阶段的电路图里一般只有R、I、U。R表示电阻，I表示电流，U表示电压。(假装有图强行回答) 求建筑结构图中常用字母代号意思？ 建筑图纸里面符号代表的东西太多了，你可以去看看书什么的。
3、jlan是通过跳线帽的设置，可以对LAN进行关闭、开启。
4、主要指示芯片的输出信号，使两个场管输出正确的工作电压。RUN SD SHDN EN 不同芯片的开始工作引脚。PGOOD PG cpu内核供电电路正常工作信号输出。VTTGOOD cpu外核供电正常信号输出。UGATE 高端场管的控制信号。
5、主板是计算机硬件系统的核心，也是主机箱内面积最大的一块印刷电路板。主板的主要功能是传输各种电子信号，部分芯片也负责初步处理一些外围数据。
6、L代表的是电感（电感线圈）它是用绝缘导线（例如漆包线、纱包线等）绕制而成的电磁感应元件，也是电子电路中常用的元器件之一，多用L表示。
目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi（仙童(飞兆半导体)）、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。
其他的还有日本的TOSHIBA，东芝，东芝的功率管，结型管方面都做得很不错。其他还有很多，比如NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay等等。
仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等，但是一些国产MOS管也不错，新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。
不是杂牌，这是一颗N沟道增强型场效应晶体管，是台产尼克森微电子出品，NIKOS是NIKO-SEM的缩写。下图是这款MOSFET的参数表。
首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。
将10N60的G-S极短接，选择万用表的R×1档，黑色表笔接S极，红色表笔接D极，阻值在几欧到十多欧。
.MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔 接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若 电阻 很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。在每次测量前都必须将三个极短路放电。
常用的场效应管---开关电源里开关作用场效应管---这节讲N沟道，P沟道以后讲 数字万用表：首先要确定G极。
N沟道的MOS管 D流向S G大于S极4V左右就完全导通。 P沟道的MOS管 S流向D S大于G 4V左右 完全导通，我觉的没有必要太注重几V是高低电压。了解导通条件就可以了。
电路板中的字母代表各电子元件的缩写。截止到2019年2月22日为止电子元件中还没有缩写为E的电子元器件。T代表变压器。U代表集成电路。D代表晶体二极管，如： D5表示编号为5的二极管。J代表跳线或跳接点。
以下列举的是电路板上常见的电子元件符号：1，B：电池（battery）。2，C：电容器（capacitor）。3，D或CR：二极管（diode）。3，F：保险丝（fuse）。4，IC：集成电路（integratedcircuit）。5，L：电感（inductor）。
Tr：三极管（transistor）；TH：热敏电阻（thermistor）；J：跳线或跳接点（jumper）；L：电感（inductor），L6表示编号为6的电感；CN：接插件；K：继电器；X：晶体振荡器，陶瓷谐振器（crystal， ceramic resonator）。
电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。
在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。
这是东芝的一个mos管，多用于功放电路，2SA代表PNP型mos管，后面的1302应该就是代号，没什么特殊的含义。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极 电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。P沟道：UgUs时导通。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。
各种常见元件在电路板上的字母分别为：电阻R，电容C，二极管/发光二极管D、VD，三极管/可控硅V、VT，轻触开关S，蜂鸣器B，BZ，芯片IC、N，继电器J，变压器B、T，压敏电阻RT，保险丝F，光耦N，接插件J，电机D，天线T。
以下列举的是电路板上常见的电子元件符号：1，B：电池（battery）。2，C：电容器（capacitor）。3，D或CR：二极管（diode）。3，F：保险丝（fuse）。4，IC：集成电路（integrated circuit）。5，L：电感（inductor）。
Tr：三极管（transistor）；TH：热敏电阻（thermistor）；J：跳线或跳接点（jumper）；L：电感（inductor），L6表示编号为6的电感；CN：接插件；K：继电器；X：晶体振荡器，陶瓷谐振器（crystal， ceramic resonator）。
电路板中的字母代表各电子元件的缩写。截止到2019年2月22日为止电子元件中还没有缩写为E的电子元器件。T代表变压器。U代表集成电路。D代表晶体二极管，如： D5表示编号为5的二极管。J代表跳线或跳接点。
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