mos管跨导（mos管跨导跟温度的关系）

发布时间：2023-07-15

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1、MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。

2、跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。

3、因此放大倍数的公式为：·K=·Usc/·Ug=-（uRa）/（Ri+Ra）由复数的运算可知，上式中的负号表明输出电压与输入电压之间的相位差为180°。同时还表明放大倍数的绝对值与电子管的参数以及屏极负载电阻有关。

4、给三极管基极输入的电流与集电极输出电流之比，为电流放大倍数，也就是跨导miu。通常所说的三极管放大倍数。电子管中的跨导就是代表这个管子的放大能力大小。

mos管跨导（mos管跨导跟温度的关系）

1、跨导的定义：漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值，叫做跨导。跨导可以用Gm表示：跨导的单位为S（西），为欧姆的倒数，即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件，如电子管（真空三极管）、场效应管等。

2、跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。

3、场效应管的漏极电流与栅极电压之比称为跨导。电压除以电流称为电阻，电流除以电压则称为电导。漏极电流与栅极电压由于跨越了场效应管，所以称为跨导。

4、场效应管的放大参数是跨导：g=i/u，跨导等于漏极电流的变化量除以栓极与源极的电压变化量双极型三极管的放大参数为：集电极电流等于B倍基极电流。

5、FET是Field-Effect-Transistor的缩写，即为场效应晶体管。

6、场效应管跨导测量小意图【用数字万用表检测场效应管】利用数宁万用表不仅能判定场效应管的电极，还可以测量场效应管的跨导（放大系数）。

跨导与MOS管的物理尺寸和工作方式密切相关，即与MOS管的栅长、栅氧层厚度、沟道长度等参数相关联。与跨导不同，MOS管的尺寸则主要指沟道长度、沟道宽度等物理尺寸。

消除噪音。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。

MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。

对电流的控制能力有影响。跨导表明了栅极电压对屏极电流的控制能力，跨导越大，说明三极管栅极电压对屏极电流的控制能力越强，可以理解成类似晶体三极管中的电流放大倍数，跨导越小则反之。

跨导越大。低频跨导gm 是在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

跨导放大器跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中，跨导放大器被定义为电压控制电流源（VCCS）。看到这些放大器安装在共源共栅配置，这是常见的，这提高了频率响应。

跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。