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1、国产光耦继电器替代---先进光半导体 光耦合器类似于继电器和隔离变压器，并且通常执行相关功能，但是它们具有几个明显的区别和优点。
2、光耦继电器产品优势！敏感度高，操作输出功率小，电磁兼容测试性好：固态继电器的键入作业电压范畴较宽，驱动器输出功率低，可与大部分逻辑性集成电路芯片适配不要加缓冲器或控制器。
3、在未来的电子产品中，我们储存了许多最常见的类型，按通道数、工作温度、输出电压、隔离电压、封装类型和电流传输比（CTR）分类。我们网站上的参数过滤器可以帮助您根据所需的规范优化搜索结果。
4、光继电器光耦，既是一个小型继电器，同时也带光耦良好的隔离特性。
1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
3、有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。
4、如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。
1、它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。
2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
3、应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
东芝光耦有很多种类，高速光耦有：TLP117： 5 V， 50 Mbps/TLP2066： 3 V， 20 Mbps/TLP2116： 5 V， 20 Mbps (2-in-1)。
MHZ以上的需要用图腾柱驱动或者专用驱动芯片IR2013 ，MOS管一定要选结电容小的高速MOS管，否则无法达到这么高的频率。
1、本质的区别就是负载能力不同。光电继电器可以接大功率负载，例如灯泡、电机等。而光电耦合器多用在线路板上的信号隔离，主要是为了滤除干扰信号，还有就是输入输出端口的阻抗变换。
2、光耦信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无，光耦继电器是用光耦来控制开光状态的固态继电器，光耦继电器可以理解为光耦和可控硅的组合体。型号有MOC302X、MOC305X、MOC306X、MOC308X等进行代换。
3、区别：光耦：无触点、可操作频率高（速度快）、负载能力小（毫安级）、寿命长 继电器（机械）：有物理触点（接通和分段时可能会产生火花）、可操作频率低、负载能力较强、机械寿命相对较短。
两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。
隔离作用。众所周知，光耦起到信号的隔离作用。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
可靠性降低；② 因光耦传输延迟较大，为保证开关器件开通与关断的精确性，必须使各路的结构参数一致，使各路的延迟一致，而这往往难以做得很好；光耦的开关速度较慢，对驱动脉冲的前后沿产生较大延时，影响控制精度。
区别：理论不同 光耦隔离：采用光耦合器进行隔离。变压隔离：指输入绕组与输出绕组带电气隔离的变压器，隔离变压器用以避免偶然同时触及带电体，变压器的隔离是隔离原副边绕线圈各自的电流。
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