行业资讯
本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。
寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。
小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
会的，当VDS高到一定程度以后，会使寄生在DS之间的body diode击穿，从而导通，导通后极有可能烧坏。VDS瞬间过高，也会导致G极上产生电压，从而出现擎住效应，致使器件导通、烧坏。
是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。
单向二极管在导通情况下是电流从正极流向负极的。二极管，是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
2、在MOS管的DS极间，有个寄生二极管。根据以上特点，我们可以对它的击穿情况进行好坏的判断。我们先根据栅极电阻找到栅极，万用表选择100k档，测量栅极和漏极以及源极的电阻。它们通常在几十到100k以上。
3、第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。
4、源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率 MOS 管的结构，所以没 有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接 S 极，因此自然在 DS 之间有二极管。
5、测量CPU供电管，红表笔接地，黑表笔依次测量MOS管的G极对地的阻值，一般为460-680不等，如果太小了就要把上面的管子取下来测量。取下后先短接G D S三个电极，然后测量D S极的正反向阻值，正常时只有一个阻值。
6、不会，这个二极管工作在反向状态，反向电流极为微弱，可以忽略不计。另外，这个二极管实际上是等效出来的，而真正的做一个二极管在上面，主要起保护，防止反向击穿的。
MOS管截止时，电流会从体二极管流过，但是这个电流的值已经非常小了，可以忽略不计。体二极管，又叫寄生二极管，它是由生产工艺造成的，大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
MOS管内部寄生二极管不可以防止MOS被击穿，因其并不起续流作用。MOS管是在先导通然后关断时承受反向电压，此时MOS体内寄生二极管也承受反向电压。续流二极管是加在原图MOS管漏极与地之间，正端接地。
当输入电压大于3V时，一部分电流从上往下流经二极管 ，一部分电流流入右边负载（本图没有这部分）。
N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
反过来流动也是可以的。对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。
在实际电路中，寄生电感最主要的来源是PCB上的走线以及过孔，PCB板上的走线长度越长，过孔的深度越大，寄生电感就越大。
但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。
同样，过孔存在寄生电容的同时也存在着寄生电感，在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。
寄生电感是会影响mosfet的性能的，而且不止是寄生电感，寄生电容也一样会影响性能，尤其是在高频段，影响很大。
过孔存在寄生电容的同时也存在着寄生电感，在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。
在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。
1、MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
2、用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
3、应该正向导通，反向电阻无穷大。此时，剩下的就是g级，用R*1K档，黑表笔接g，红表笔接s，在g，s间充电，然后再将黑表笔接d，表指针会偏转，然后慢慢返回，说明管子是好的。
4、图中只有源极2与漏极3之间存在一个二极管，栅极1与源极之间并没有二极管。你大概把那个表示“P沟道”的箭头符号看成二极管了。箭头冲上指，表示P沟道，箭头冲栅极方向指，表示N沟道，并不表示二极管。
5、该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。
6、二．1判别各电极与管型 用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
关键词：电阻 万用表的二极管档 mos管寄生 栅极电阻 寄生二极管 单向二极管 二极管击穿 mos管 电容 寄生电容 二极管档 二极管方向
如何进行水位测量2、太阳能热水器水位传感器哪种好?3、锅炉中的电极式液位传感器的工作原理是怎样的?4、液位传感器如何进行水位测量1、电容式。电容式水位开关原理：...
传感器原理及应用2、传感器有哪些应用3、电阻应变式传感器在生活中有哪些应用?4、传感器在生活中的应用例子传感器原理及应用1、应用：传感器是获取自然和生产领域中信...
光学可穿戴传感器的优点2、简答霍尔式传感器的优点有哪些?3、超声波传感器的优缺点是什么?4、红外传感器的优缺点有哪些?5、电阻应变式传感器的优缺点是什么?6、差...
压阻式传感器和电阻应变式传感器都属于什么传感器2、压阻式压力传感器的压力测量实验灵敏度怎么算3、压力传感器种类压阻式传感器和电阻应变式传感器都属于什么传感器电阻...
为什么手机可以识别指纹,去换领身份证的时候却指纹比对失败,这是个什...2、为什么湿手指纹解锁不灵3、手机上的传感器与主要作用4、指纹锁的指纹会不会被盗?5、声...
104陶瓷电容耐压值怎么测试2、质量流量计安装时有什么要求3、小鹏P7出事故安全气囊没有弹出,这是什么原因造成的?4、剪力传感器原理104陶瓷电容耐压值怎么测试...
变频器ntc温度传感器选择多大的2、NTC热敏电阻有什么样的特点呢?3、温度传感器的定义4、小米洗碗机水温ntc故障5、ntc温度传感器工作电压为变频器ntc温...
新型继电器主要检查的内容有哪些?2、常用的继电器有哪几种?3、常用的继电器有几种类型4、什么叫继电器5、继电器定义新型继电器主要检查的内容有哪些?1、测量继电器...
汽车传感器国外研究现状2、冶金传感器的发展现状3、气体传感器国内外研究现状汽车传感器国外研究现状汽车传感器的现状：温度传感器温度传感器有线绕电阻式、热敏电阻式和...
怎么量继电器好坏2、继电器怎么测好坏3、怎么测量继电器好坏?4、如何去判断各类继电器的好坏?5、怎么测试继电器好坏怎么量继电器好坏1、继电器好坏检查方法如下：通...
一点销电子网
Yidianxiao Electronic Website Platform
© 一点销电子网 版权所有 备案号：苏ICP备2021032763号-1
