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本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。
寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。
小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
会的，当VDS高到一定程度以后，会使寄生在DS之间的body diode击穿，从而导通，导通后极有可能烧坏。VDS瞬间过高，也会导致G极上产生电压，从而出现擎住效应，致使器件导通、烧坏。
是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。
单向二极管在导通情况下是电流从正极流向负极的。二极管，是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
2、在MOS管的DS极间，有个寄生二极管。根据以上特点，我们可以对它的击穿情况进行好坏的判断。我们先根据栅极电阻找到栅极，万用表选择100k档，测量栅极和漏极以及源极的电阻。它们通常在几十到100k以上。
3、第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。
4、源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率 MOS 管的结构，所以没 有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接 S 极，因此自然在 DS 之间有二极管。
5、测量CPU供电管，红表笔接地，黑表笔依次测量MOS管的G极对地的阻值，一般为460-680不等，如果太小了就要把上面的管子取下来测量。取下后先短接G D S三个电极，然后测量D S极的正反向阻值，正常时只有一个阻值。
6、不会，这个二极管工作在反向状态，反向电流极为微弱，可以忽略不计。另外，这个二极管实际上是等效出来的，而真正的做一个二极管在上面，主要起保护，防止反向击穿的。
MOS管截止时，电流会从体二极管流过，但是这个电流的值已经非常小了，可以忽略不计。体二极管，又叫寄生二极管，它是由生产工艺造成的，大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
MOS管内部寄生二极管不可以防止MOS被击穿，因其并不起续流作用。MOS管是在先导通然后关断时承受反向电压，此时MOS体内寄生二极管也承受反向电压。续流二极管是加在原图MOS管漏极与地之间，正端接地。
当输入电压大于3V时，一部分电流从上往下流经二极管 ，一部分电流流入右边负载（本图没有这部分）。
N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
反过来流动也是可以的。对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。
在实际电路中，寄生电感最主要的来源是PCB上的走线以及过孔，PCB板上的走线长度越长，过孔的深度越大，寄生电感就越大。
但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。
同样，过孔存在寄生电容的同时也存在着寄生电感，在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。
寄生电感是会影响mosfet的性能的，而且不止是寄生电感，寄生电容也一样会影响性能，尤其是在高频段，影响很大。
过孔存在寄生电容的同时也存在着寄生电感，在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。
在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。
1、MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
2、用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
3、应该正向导通，反向电阻无穷大。此时，剩下的就是g级，用R*1K档，黑表笔接g，红表笔接s，在g，s间充电，然后再将黑表笔接d，表指针会偏转，然后慢慢返回，说明管子是好的。
4、图中只有源极2与漏极3之间存在一个二极管，栅极1与源极之间并没有二极管。你大概把那个表示“P沟道”的箭头符号看成二极管了。箭头冲上指，表示P沟道，箭头冲栅极方向指，表示N沟道，并不表示二极管。
5、该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。
6、二．1判别各电极与管型 用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
关键词：mos管 万用表的二极管档 二极管档 寄生电容 二极管方向 单向二极管 寄生二极管 电容 栅极电阻 电阻 二极管击穿 mos管寄生
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