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1、电容在电路中的作用就是滤波，耦合，定时，尖峰吸收等。二极管在电路中的作用就是整流，钳位，稳压，检波等。
2、变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。
3、二极管在交流电路中起到整流作用。当电流过大损坏二极管的时候，有短路和断路两种情况，短路的情况和你说的一样。普通整流二极管的反向耐压较高，稳压二极管的反向击穿电压较低，它就是靠反向击穿电压来稳压的。
变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。
变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器 变容二极管与反向偏压 件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。
变容二极管是加在二极管上电压不同，其结电容可以变化的二极管。变容二极管调频电路就是利用其这一特性，改变电容值大小，从而改变谐振频率，因而可以跳频。
整流：整流二极管通常用在整流电路，能够将交流电转换为脉动直流电。开关：可调用二极管本身的开关特性，以足构成各类逻辑电路。限幅：能够在电路中充当限幅元件使用，能够将信号幅度束缚限制于一定范围之内。
变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容。反向偏压越高，结电容则越小。变容二极管主要应用于高频调谐电路中，如收音机、电视机的选台调谐等。
二极管的工作状态是导通和截止两种，利用这一特性可以构成限幅电路。
在二极管反向截止时，把PN结作介质，把二极作电容的二个极片，这样就成了一个电容。当PN结的厚度改变时，这个电容的容量也发生变化。
调频的原理是调频信号的频偏与信号的幅度成正比，而调频电路的振荡频率是与电容的1/2次方成正比的。
变容二极管的工作原理变容二极管（VaractorDiode）是一种具有可变电容的二极管。工作原理是在PN结上设置一个可变电容，当调节电压变化时，变容二极管的电容值也会发生变化。这种变化可以用来调节电子电路中的频率或者阻抗。
变容二极管在调幅电路的作用是在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。
受变容二极管在调制电压为零时的直流电压Uo影响电压越大，斜率越小，电压改变则相应的电容Co改变，根据fo=1/2π根号LCo得出频率变化。则斜率改变。结论：与电压，斜率，电容有关。同时也受电压，斜率，电容因素影响。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
1、变容二极管工作原理变容二极管（BJT）是一种半导体器件，它利用控制部分（集电极）对通过发射极的电流进行控制，从而形成一个可控制的电子导通路。BJT分为NPN型和PNP型，分别对应不同的控制部分的正负极性。
2、变容二极管原理变容二极管（VaractorDiode）是一种电子器件，它具有可变电容值的特点。在电压变化时，它的电容值也会随之变化。变容二极管通常用于频率调谐和振荡电路中。变容二极管由一个p-n结和一个可变电容组成。
3、变容二极管的工作原理变容二极管（VaractorDiode）是一种具有可变电容的二极管。工作原理是在PN结上设置一个可变电容，当调节电压变化时，变容二极管的电容值也会发生变化。这种变化可以用来调节电子电路中的频率或者阻抗。
4、变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。
5、变容二极管是加在二极管上电压不同，其结电容可以变化的二极管。变容二极管调频电路就是利用其这一特性，改变电容值大小，从而改变谐振频率，因而可以跳频。
6、变容二极管 变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器 变容二极管与反向偏压 件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。
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