可控硅极性的判断（可控硅电极的识别）

发布时间：2023-07-16

阅读量：35

本文目录一览：

1、三极管一般做放大和开关用。集电极和发射极两个极之间是电流的通路，但这个通路受基极控制。基极如果没有电流，通路就截止不通。只要基极有少量的电流，通路中就有数倍于基极的电流。

2、用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。

3、晶闸管的三个电极分别是介绍如下：单向晶闸管有PNPN四层结构，三个极分别是阳极A，阴极K，门极G。晶闸管可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

4、假如两次都显示溢出，说明红表笔接的不是控制极，需更换电极重测。测试可控硅的触发能力数字万用 PNP挡，此时 hFE 插口上的两个带负电，电压为8V。

5、即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

双向可控硅三个脚，阳极与阴极、阳极与门极脚正反向都处于不通的（高阻）状态，阴极与门极正反向都处于较小电阻状态。所以楼主的2脚是阳极，1脚是阴极，3脚是门极。

具体方法是：用r×1k或r×10k。挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

数字万用表的“二极管档”，可以测量半导体的PN结正向压降值，而可控硅的也是由半导体硅的PN结构成，所以测量起来很方便。

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

可控硅极性的判断（可控硅电极的识别）

正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。

如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。

闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。