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mos两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,mos管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
FET有三个主要端子:栅极、漏极和源极。施加到栅极的电压(VG)控制从源极IS流到漏极ID的电流。在上述场效应管测试框图中,SMU CH1的正极连接到FET的栅极,SMU CH2的正极连接到FET的漏极。
工作频率是指变压器或者变换器的工作频率,其实也就是开关频率。对,你的测试方式是正确的。MOS的Gate方波频率即为变压器的工作频率。不知道你是做什么产品,如果是显示器的逆变,一般是50KHZ左右。
将示波器接在用电器的两端即可直接测量经过电路的电流大小。不同量程的示波器所测电流大小的范围不同。所谓直接测量法,就是直接从屏幕上量出被测电压波形的高度,然后换算成电压值。
测试耐压用示波器的高压探头测试。具体测试MOS的D-S(漏极接+,源极接GND),把示波器调到直流档,看最大值和峰峰值(这两者中的最大值需满足要求)。
示波器本身是只能测电压的,测电流的话需要电流探头,电流探头本质也是把电流信号转换成电压信号再给示波器。示波器的探头(也叫探棒)一般分为三类:1)普通的探头,测电压讯号,通道之间共地,测量高压的时候要小心。
电流钩枪和电压探头一样,是直接插在示波器上的,把电压探头取下直接换成电流探头就行了,只不过电流探头不是像电压探头那样接在电路的两个点,而是像钳形表一样卡在线路中的电源线上即可。测量波形非常精确。
无论是实体示波器或是mutilisim中的模拟示波器,都不能出来测量电路中的电流。但可以测量需要测量电流的电路中电阻两端的电压来计算出电流,被测电流的电路中最好有一个没有分路的电阻,这样测量的结果就比较准确。
测电流信号实际实测电压信号,有两个方法。直接测量法所谓直接测量法,就是直接从屏幕上量出被测电压波形的高度,然后换算成电压值。定量测试电压时,一般把Y轴灵敏度开关的微调旋钮转至“校准”位置上。
1、测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态,像电池电压的话因为比较低,探头衰减比一般1X即可,垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。
2、将示波器探头与输出端连接,看示波器上是否有显示数据波形。
3、用示波器测量峰到峰的电压,一般按以下步骤进行:(1)连接示波器 (2) 按说明书接通示波器。(3) 用校准信号校正Y轴增益。(4) 输入选择在交流位置,将探头连接被测信号。
4、你的高频炉应该是中频加热炉,驱动板是反馈信号放大作用,输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作,要用示波器测试波形,如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端,另一测试点为C端。
在上述场效应管测试框图中,SMU CH1的正极连接到FET的栅极,SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量,FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。
再改用万用表r×1ω挡,将负表笔接漏极(d),正笔接源极(s),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。
先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
用表红笔触发栅极G有效,说明该管为P沟道场效应晶体管。2.判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
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