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mos管代替三极管（mos管代替二极管）

发布时间：2023-07-16
阅读量：63

本文目录一览：

为什么电机,电桥驱动一般选择mos管,而不用三极管。

1、MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动，三极管是电流驱动。

2、mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。

3、然后MOS管是电压驱动器件，三极管是电流驱动器件，同样的功率前者的驱动电路要比后者更容易。当然三级管也有耐压高的优势，所以就有了MOS管和三极管结合的产品，耐压高驱动容易---IGBT电磁炉里的功率管，单端就可以上2KW的功率。

4、MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。MOS管的温度特性要比三极管好。

5、mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

6、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。场效应管和晶体管的区别 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

mos管是三极管吗?三极管能代替它吗

1、MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。控制原理不一样，MOS管不能代替三极管。当MOS管有电流输入时，MOS管内部会对电流进行锁存，与至于电流不断增大，会烧掉MOS管。可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。

2、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。 三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。 作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

3、mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件，用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice（集射电流）=βIbe（基射电流）。

4、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

S8050D331三极管用什么型号的可以代替

1、S8050D331三极管可以用S8050D168型号的可以代替，因为他们的性能和正常工作时的功率相同，电流和负载下的电阻都相同，且均属于NPN型功率三极管，所以可以代替。PS：S8050D331三极管常用于组成H桥驱动电路，可以用MOS管代替。

2、三极管S8050 D128可以用S8050 D331代替。这两只三极管是同样型号与类型的三极管，只是后面的生产批号不一样而已（D128和D331表示生产批号），其它参数完全都一样。

3、可以使用9019012N5551这些NPN三极管直接代换。8050是日本公司生产的NPN硅三极管，其耐压值为25V，Pcm为1W，Icm为5A。若不是驱动大功率负载，可以使用9019012N5551这些NPN三极管直接代换。

4、而S8050耐压值仅25V，若工作电压不高，可以用S8050代替C945。你可以用9014硅三极管直接替换C945，9014各个参数皆优于C945。代换时要注意，S8050及9014的引脚排列跟C945不一样。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

买不到K4145三极管,想知道三极管K4145可用什么型号的代替?

1、可以用N型MOS管 80A60V，TO-220的封装来代替 。只要符合管子的参数的都可以替代的。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

2、不可以，K4145 参数为N型 84A/60V/84W，所以两者不能替代。可以用IRF3205来替换K4145，他的参数都是属于比较高压的值，所以二者可以替换。

3、用IRF3205可以代换K4145，各方面参数均高压原管， 只是耐压稍微低一些，一般情况下是可以正常代换的 。

4、IRF2807场效应管能用SE75N75和STP75NF75，WFP75N75代换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

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