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1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
3、当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
4、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
5、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
6、p沟道耗尽型mos管在恒流区条件 可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段 而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。
1、三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过规定的数值，否则三极管会永久性损坏，以9013为例VCEO为25V，即CE之间最大不能超过25V。
2、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。
3、如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。
4、mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。
1、耗尽型场效应管 ：具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
2、即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
3、如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
4、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
5、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
6、IRFZ44N是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为49A，具有低导通电阻和高开关速度。IRF3205是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为110A，具有较低的开关电阻和高开关速度。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
MOS导通后就是一个阻值很小的电阻，这个电阻叫Rds_on，即D、S间的电阻；流过MOS管D、S极的电流就会发热，P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关，Vgs越小（大于导通阈值电压5~6V），Rds_on越大。
一般电子负载可以选择恒压模式、恒流模式及恒阻值模式。而开关电源多为恒压输出，电子负载多选择恒流模式，即通过调节电子负载的电流值来改变负载的功率。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
关键词：p沟道耗尽型mos管 可变电阻 常用高压mos管 高速mos管 高压mos管 三极管和mos mos管 怎么选择mos管 电阻
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