mos管选用（mos管tj）

发布时间：2023-07-17

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1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

2、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

3、影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。

4、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

mos管选用（mos管tj）

1、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

2、这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

3、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

4、我们一般使用的都是增强型MOS。选择MOS管，首先要考虑VGS，VDS电压。漏源级电流ID。这些是根据你MOS的使用场合和功率大小来决定的。

5、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过规定的数值，否则三极管会永久性损坏，以9013为例VCEO为25V，即CE之间最大不能超过25V。

三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。

如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。

mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。

由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40VN67VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。

三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。

MOS管主要参数如下：开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。