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这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
MOS管工作是靠沟道导通电流，PN结只是控制沟道宽度，这和三极管、二极管通过PN结导通电流不同，因此三极管的基极和集电极或发射极连接可以代替二极管，但MOS管的栅漏或栅源极连接是不能代替二极管的。
mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
2、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
3、mos栅源短接相当于一个体二极管，一般用来电压钳位。以PMOS栅源短接为例，其衬底和源极相连；此时源极等效为PN结的N端，漏极等效为PN结的P端，也就是说你现在看的到是一个从下方指向上方的二极管。
1、不是所有的MOS管都存在这个二极管，只有V-MOS管（垂直导电）才有。这个二极管也不是“加”上去的，是该类管子制作工艺过程中与底衬间的寄生二极管，天然存在，不要不行。
2、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。
3、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。
4、不是好多mos有反向二极管，而是大部分都有。测BVdss，不管有没有二极管，测试都是一样的。
5、本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。
1、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。
2、mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
3、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。
本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。
不能。1N5408是普通整流二极管，速度比快速恢复二极管慢得多，PN结电容也大得多，在高频信号作用下没有单向导通的效果，等于一支电阻。
mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。
MOSFET的反并二极管，是一个普通二极管！且只能当作普通二极管使用。boost电路，一般要选用开关二极管，快恢复型二极管。BOOST电路，使用普通二极管，输入电流肯定要上升一倍多，这是因为普通二极管，反向恢复速度很慢的原因。
大功率晶体管或场效应管内部多数都有反向并联二极管，针对于应用的电路不同，有些需要单独并联反向的二极管。例如开关电源中的全桥拓扑电路，mos管上并联反向二极管（超快恢复二极管）。
那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。
1、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。
2、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
3、可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。
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