全控功率开关器件（功率控制开关）

发布时间：2023-07-17

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就是是否能通过外界条件控制器件的开通和关断。半控是指可控制其开通不能控制关断。这是跟器件发展历史有关的。通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件，又称为自关断器件。

）半控整流电路由可控元件和二极管混合组成，在这种电路中，负载电源极性不能改变，但平均值可以调节。

按控制功能分为：不控，半控，全控。按载流子类型分为：单极型，双极型，复合型。

1、半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。

2、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。

3、其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

4、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

5、电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器是属于电力电子元器件的，不好证明。

6、击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

1、全控型电力电子器件的典型代表：门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

2、常用全控型电力电子器件有哪几种？[1]门极可关断晶闸管（Gate Turn Off THyristor，GTO）。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断，所以它是电流控制型的全控型器件。

3、主要有巨型晶体管GTR，功率场效应管PMOSFET，双极型绝缘栅功率晶体管IGBT，双向晶闸管GTO；和新型电力电子器件（集成门极换流晶闸管）IGCT等几种。

1、晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。

2、由工频二极管，高频二极管，三极管，稳压控制，光电控制，电阻，各种电容，振汤控制集成块，电磁元件，及lGBT开关管等组成。

3、电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。

4、典型的大功率电力电子器件主要有：晶闸管SCR、功率晶体管GTR、功率场效应管PMOSFET、双极型功率晶体管IGBT，其它还有IGCT、SIT等等。

5、一般来讲主电路开关管用IGBT或者MOSt管比较多，但是其它控制部分用到的东西太多了，dsp、各种电阻、电容、二三极管、芯片...还是去找本UPS的书来看吧。

6、输入功率高主要有变压器、IC。尖峰吸收电路。还有整流前的元件[比如热敏电阻】、输出低的话。

全控功率开关器件（功率控制开关）