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就是是否能通过外界条件控制器件的开通和关断。半控是指可控制其开通不能控制关断。这是跟器件发展历史有关的。通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件,又称为自关断器件。
)半控整流电路由可控元件和二极管混合组成,在这种电路中,负载电源极性不能改变,但平均值可以调节。
按控制功能分为:不控,半控,全控。按载流子类型分为:单极型,双极型,复合型。
1、半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
2、电压驱动型器件,例如IGBT、MOSFET、SITH(静电感应晶闸管);电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR。
3、其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
4、IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
5、电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器是属于电力电子元器件的,不好证明。
6、击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
1、全控型电力电子器件的典型代表:门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
2、常用全控型电力电子器件有哪几种?[1]门极可关断晶闸管(Gate Turn Off THyristor,GTO)。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断,所以它是电流控制型的全控型器件。
3、主要有巨型晶体管GTR,功率场效应管PMOSFET,双极型绝缘栅功率晶体管IGBT,双向晶闸管GTO;和新型电力电子器件(集成门极换流晶闸管)IGCT等几种。
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。
2、由工频二极管,高频二极管,三极管,稳压控制,光电控制,电阻,各种电容,振汤控制集成块,电磁元件,及lGBT开关管等组成。
3、电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。
4、典型的大功率电力电子器件主要有:晶闸管SCR、功率晶体管GTR、功率场效应管PMOSFET、双极型功率晶体管IGBT,其它还有IGCT、SIT等等。
5、一般来讲主电路开关管用IGBT或者MOSt管比较多,但是其它控制部分用到的东西太多了,dsp、各种电阻、电容、二三极管、芯片...还是去找本UPS的书来看吧。
6、输入功率高主要有变压器、IC。尖峰吸收电路。还有整流前的元件[比如热敏电阻】、输出低的话。
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