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功率型开关器件开关速度（功率开关部分的主要作用）

发布时间：2023-07-17
阅读量：28

本文目录一览：

三极管和MOS管,开关速度谁快呀?

1、关断速度是三极管最快。但MOS管关得最彻底。

2、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制 阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

3、mos管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

可使开关元件的关断速度

有啊，你经常听广告的啊，变频空调什么的就是啊，专业点叫斩波电路。你手机充电器就是斩波啊，把220V的其中5V斩下来，超过5V的时候关断。驱动能力是倍压电路，网上很容易找。书籍的话叫电力电子技术。

晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。

可以在栅极加个跟随器来驱动栅极，可以缩短开关时间，在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电，以上都是提高开关速度的方法。

场效应管的开关频率一般可达300MHz，也就是微秒级别的，开关电路一般用到毫秒。提高关断速度，只要提高栅极的速度即可。你电路的控制端是单片机？楼下的电路有误，变压器的磁阻时延只会减慢开关速度，且信号需持续。

关于绝缘栅类的开关元件其驱动电路的关断速度均需很快，开关元件的开关速度靠调整栅级电阻来调整。其典型驱动电路请参照MOTOROLA公司的专著--TMOS功率场效应管一书，他是采用二极管单向整流，PNP晶体管放电关断的办法，速度很快。

开关电源与模块电源的区别

开关电源的是相对于线性电源定义的，它内部是几十K到几兆频率工作的。

模块电源是开关电源和线性电源的统称，开关电源和线性电源是两种不同的工作模式，主要区别是开关电源效率高、体积小，目前开关电源是主流发展趋势。

如果是独立的开关电源和独立的模块电源的话，只要输入电压相同，输出电压及输出功率相同（或者大点也行）即可通用。

开关电源：指的是电源的一种工作原理，是工作在开关方式。模块电源：指的是电源的一种封装模式，是模块式的。内部电路，可做成开关式。后备电源：指的是电源的实际作用，是起备用作用。一般是交流逆变式的蓄电池形式。

配网自动化终端电源首选piny，它具体有一流的技术团队及高品质的服务销售团队。功率覆盖范围广。其配网自动化终端电源待机功耗低，各项技术指标符合配网自动化行业标准。

开关电源：一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。

IGBT与MOSFET的开关速度比较?

1、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

2、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

3、由于GTR的特点是功率容量（电流耐力和电压耐力）大，开关速度慢。而MOSFET的特点是，功率容量小，开关速度快。而IGBT的特点是介于二者之间的。就是说IGBT的特点是功率容量较大，开关速度较快，能力比较综合。

4、IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。

双极型功率开关晶体管的选用,有哪几项参数

1、晶体管主要参数，晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

2、这要看你的用途啦，比如说用于开关电源要看击穿电压（电路的适应性），和开关参数。通常首先应注意击穿电压，最大电流，放大倍数等。

3、DD13009K 是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

4、D13007K，为双极型晶体管，主要参数为 TO-220封闭， Icm = 8A / Uceo = 400V / Ucbo = 700V 。

关键词：电阻 三极管输入阻抗 保护二极管 器件开关速度 三极管开关 电容 开关器件 导通电阻 mos管 功率型开关器件开关速度

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