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1、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
2、若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。
3、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
在上述场效应管测试框图中,SMU CH1的正极连接到FET的栅极,SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量,FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。
再改用万用表r×1ω挡,将负表笔接漏极(d),正笔接源极(s),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。
先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
测量5N60C好坏时,首先将万用表量程开关调至二极管档,将5N60C的G极悬空,用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极,若是好的管子,万用表显示为“OL”,即溢出(见上图)。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
用表红笔触发栅极G有效,说明该管为P沟道场效应晶体管。2.判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
加上MOS管的开启电压很低,只有零点几伏,所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D,黑表笔接G,则相当于给G极施加反向电压,D-S间就截止了。
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