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典型mos管H桥直流电机控制电路 电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。
对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可，当电机需要双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。
一般控制直流电机正反转用H桥，H桥由多个功率三极管或功率mos管组成。
控制2个电机A 和B的电路，每个电机1组H桥需要4个mos 管，所以有8个。
1、由于Q1是靠电压驱动(Igs很小，Ir很小，Vr也就很小)，R和D与Q的输出电流基本无关系。本图电路有个错误，各管G-S之间没有泄放电阻(应并在D上)，没法使各管及时关闭．它输出的波形将有个长长的下降沿。
2、上面的电路理论上没有错误，你说的会烧坏管子可能是你选择的三极管开关速度不够或者100k电阻过大，两对管分别用PNP于NPN组合没有错。
3、这是电路输出功率达不到负载功率，也就是电路的输出电流远远小于电机的额定电流所造成。
4、缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。
没用过该款和类似的h桥驱动芯片，因为个人觉得没必要。实际制作产品都是拿MOS管和三极管搭建，设计好死区时间，防止上下臂同时导通即可。建议使用分立元件去搭建，真没想的那么难。
为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
典型mos管H桥直流电机控制电路 电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。
由图6可见用两片IR2110可以驱动一个逆变全桥电路，它们可以共用同一个驱动电源而不须隔离，使驱动电路极其简化。IR2110本身不能产生负偏压。
1、MOS管为压控元件，起电压控制即稳压作用。电脑主板多用于CPU供电电路，至少是两个管子一对，可以理解为上管和下管，两个管子交替导通，实现连续稳定输出，下管可以看做同步整流作用，在小电流场合一般可以使用肖特基二极管。
2、MOS管的导热性能比较好，通常是用来转移热量（注意理解），以利于转移散热或者加大散热面积。一般来说导管散热效率比没有导管散热的要高，而且鉴于其成本不低，也只有中端或以上硬件才配置MOS管。
3、mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
1、用的最多的一个H桥驱动芯片：L928N 这个芯片是很简单，很便宜，而且很容易买到，一个芯片里面就集成了2路的H桥电路，还带PWM控制和电流采集。
2、目前用的最多的一个H桥驱动芯片：L928N，这个芯片是很简单，很便宜，而且很容易买到，一个芯片里面就集成了2路的H桥电路，还带PWM控制和电流采集。
3、一般采用H桥驱动芯片配合大功率MOS管来驱动电机。
4、主体不同 l293d：支持Vcc 5~36V的微型电机驱动集成电路芯片。l298n：是一种双H桥电机驱动芯片。支持电流不同 l293d：支持Vcc 5~36V，最大输出电流为1A。
5、图中的R和D(如Q1上的R20和D4)都是保护电路，R20是在Q1被击穿时保护前面的H桥驱动芯片；D4是保护Q1免受过高驱动电压的损害(大于20V)。
驱动电路中通常要用硬件电路当地控制开关，电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082，一种是半桥驱动IR2104，半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS管组成的振荡。
六个。步进电机驱动器是一种将电脉冲转化为角位移的执行机构，该设备采用了六个mos管。mos管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。
可以，但仍需要2个相反同步信号去做到电机正反转的功能。
H桥高边驱动MOS管（上面两个）应该要用P-MOS；分左右两边半桥，单边半桥共用同一个控制信号，则同一时间只会有一个（上或下）MOS管导通。
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