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mos管压降多少（mos管能降压吗）

发布时间：2023-07-17
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哪个型号的pmos管导通压降比较低,求,谢谢各位了

si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为3A时，压降约为.03欧姆。

TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。

MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。 你可以用两只MTP50P03并联使用（加均流电阻）。

你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。

ao3400，N沟道的场效应管，sot23封装，30V耐压，导通电阻100毫欧，过100mA电流时压降不到10mV。

为什么这个MOS管的压降会大于2V(实际电路用的AO4404)

选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。

你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

ASEMI场效应管7N60的压降是多少?

因此，7N60-ASEMI二极管不仅适用于各种开关、功率调整、过流保护以及PWM调制中使用——而且它的最大漏源电流也能够达到5A；而它的最大击穿电压也能够达到600V。

N60极限参数 ：（1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。

最多600V。场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。

场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。

高压额定值：IXFA14N85XHV的额定电压为850V，适用于高压应用。低导通电阻：这种功率MOSFET的导通电阻（RDS（On））为14mΩ，从而减少了功率损耗并提高了效率。

二极管哪家好？

首先为大家介绍的是深圳恒盛光电电子厂，它位于深圳市宝安区，是一家专业生产和销售光电二极管等光敏元件的厂家。

群能科技有限公司 群能科技有限公司位于浙江省杭州市，是一家集生产和销售于一体的生产厂家，专业生产加工变容二极管、发光二极管、三极管、晶闸管等。该工厂拥有雄厚的技术力量以及全套先进的电子加工机械设备。

发光二极管比较好的有利亚德LEYARD、三思SANSI、洲明Unilumin、联建光电LianTronics、艾比森Absen等这几间公司，有需要的朋友可以参考一下。

这方面的产品，牌子好的，还是统佳光电他们是20多年的生产厂家，实力和技术都非常过硬，跟众多品牌客户都有合作案例哦。

年led灯和发光二极管比较好的有欧普照明OPPLE、雷士NVC、飞利浦照明。省电，安装不费力，高效节能。欧普照明OPPLE 欧普照明始于1996年，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的综合型照明企业。

MOS管如何使用?

1、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

2、MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

3、(3)、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。

4、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

5、用mos管实现两输入比较器的具体步骤如下所示：选择两个MOS管，一个作为比较器的输入端，一个作为输出端。将两个MOS管的源极接地，栅极分别接入两个输入信号。

6、对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

mosfet的Vds的压差怎么理解?从漏极到源极的压降是多少

1、Vds增加时，由电流Id流过，由于沟道存在一定的电阻，因此，Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端最低。

2、因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS(ON)时会变大是很重要的。动态特性 包括跨导，电容以及转换时间。

3、你问的是mos管吧，漏极和源极之间的压降由导通电阻和流过的电流决定，而导通电阻又与栅极的控制电压有关，这个在其技术文档中会有相应的描述。希望对你有帮助。

4、如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

5、当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。

关键词：导通电阻 mos管 均流电阻 电阻 pmos管

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