R2501光耦（r2501光耦资料）

发布时间：2023-05-18

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本文目录一览：

1、2501光耦旁的106接地电容可以用贴片105电容替换吗
2、r2561光耦参数
3、nec2501光耦的作用是什么？
4、光耦PC817、NEC2501、TLP521这三种光耦是否可以互相替代？
5、请问光耦PS2501-1有那些重要的参数
6、怎样测量光耦NEC2501

2501光耦旁的106接地电容可以用贴片105电容替换吗

不能。106的电容量是10μF，银郑返而105的电容量是1μF，二者相差10倍，差别太大，一般不能锋饥替换。

电容（或电容量, Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际单位是法拉（F）。一般丛森来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。

R2501光耦（r2501光耦资料）

r2561光耦参数

正向拦祥电压(VF):1.1V 芯片尺寸:46MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~ 150℃ 恢复时间(Trr):500ns

关于M7与M1、M2、M3、M4、M5、M6的不同,在于反向重复峰值电压的不同,M7可以代替M1、M2、M3、M4、M5、M6。知山当然也可以用二极管1N4007、1N4007*、A7代替搭衡中M7

nec2501光耦的作用是什么？

NEC2501一般做为搭蠢非线性光藕培茄使用，即当输入电流达到一定的时候，光藕导通配枝察，相当与开关三极管一样，其曲线图如下:

光耦PC817、NEC2501、TLP521这三种光耦是否可以互相替代？

可以互相代替。TLP521是可以完全替代817和2501，

后两个不能完全替代521，要求不严的一些消费类电源上，

还有智能电表上这几个都是一样用的。

扩展资料：

光耦：性能特点

光耦合器的主要优点是单向传输信号，

输入端与输出端完全实现了电气隔离，

抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。

它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、

远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR）、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，

因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，

不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；

光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、

隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的耐贺电磁干扰。

线性方式工作的光电耦合器是在光电耦合器的输入端加控制电压，

在输出端会成比例地产生一个用于进一步控制下一级的电路的电压。

线性光电耦合器由发光二极管和光敏三极管组成，当发光二极管接通而发光，

光敏三极管导通，光电耦合器是电流驱动型，

需要足够大的电流才能使发光二极管导通，如果输入信号太小，发光二极管不会导通，

其输出信号将失真。在开关电源，尤其是数字开关电源中。

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），

而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。

这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较昌态派小的输入电流。

因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。

线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，

在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。

线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，

其交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。

因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输闭穗出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。

必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国际的有关隔离击穿电压的标准；

由英国埃索柯姆（Isocom）公司、

美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25 、4N26、4N35）光耦合器。

参考资料来源：百度百科—光耦：性能特点

请问光耦PS2501-1有那些重要的参数

主要的是隔离电压和最大通过电流50mA左右常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定烂慎码工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管孝稿输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集-发击穿电压 100 V （BR）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度饥哪 -55～150 ℃ stg T 工作温度 -55～125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性测试条件(T 特性符号 11 A=25℃±3℃) 最小典型最大单位隔离特性隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关特性下降时间 tf CC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω 60 180 % 集-发饱和电压 VCE（sat） VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ 0.1 0.4 V 晶体管输出特性 I V 集-发截止电流 CEO CE=5V，IF=0 0.01 1.0 μA