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低阻mos管（超低内阻mos管）

发布时间：2023-07-18
阅读量：40

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映泰Z370GT7宣传使用了低内阻MOS管,这是啥呢?有什么好处?

1、这样，自然可以用在映泰Z370GT7的内存插槽上。有些内存是可以跟主板的颜色共同变化的，为了不起到打广告的嫌疑我就不说是哪家的了。

2、这是极限超频用的，LN2（液氮模式）开关，当使用液氮或其它极限制冷模式时，液氮模式可以放宽主板电压等参数的限制，从而让CPU主频达到更高水准，当然，日常使用就别开了。

3、我记得是三电平架构，使用多个并联mos管组成。这种方法的好处是成本优势。当然每个单元由50KW模组并联，后期维护更换方便。当然缺点也是显而易见的，设计复杂，产品可靠性难以保障。

4、ECO是环保节能模式 按了就运行在低频率下 当然性能下降跑分低。主板自带的这种调节不要用，没意思。想超频用这个也不稳定。手动设置才是王道。

FHP3205低压MOS管的参数是多少?

1、FHP740 是MOS管场效应管 ，直插 TO-220封装，主要参数是 400V/ 10A 。IRF3205 场效应管，主要参数是 55V /110A ，常用于逆变器。

2、从参数看2906耐压和电流都大一些。KIA2906A场效应MOS管 ，主要参数是130A/60V ，TO-3P封装，常用于逆变器，电焊机。IRF3205PBF 是N沟道MOS场效应管，主要参数是110A/55V， TO-220封装，常用于电动车控制器。

3、f3205z的类型是MOS场效应管。封装TO-220AB，参数VDSS = 55V，ID = 75A，RDS(on) = 5mΩ，170W。

4、MT3205是茂钿公司生产，IRF3205是IR公司生产，期参数差不多，都是55V/110A，内阻MT的2毫欧稍小与IR的8毫欧，完全可以替换。

5、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

6、IRF3205场效应管是目前用得相对较多的场效应管型号之一，但由于竞争压力、市场成本等原因，大多数厂家都想要找到比IRF3205场效应管性价比更高的替换场效应管。

大电流低内阻MOS管

1、你应该要问一下是什么参数之类的，这样好找一点，如电压，封装之类的，要不然不好找，像我们就是用AON6400 这个，30V 85A的，或者你直接问一下天亿电子，看他们有资料相关资料发给你。

2、FHP3205低压MOS管的封装形式主要有TO-220/TO-252/TO-263，脚位排列序为GDS，Vgs(±V)25，VTH(V)2-4，ID(A)130，BVdss(V)60，Rds(on)[mΩ](typ)5，Rds(on)[mΩ](max)8，且飞虹FHP3205场效应管优势就是可实现低内阻，大电流。

3、在主板工作时，是需要把12V电压降低到CPU使用的1V左右电压的，这就需要MOS管当开关管进行降压，而MOS管即便是导通，其实还有一定的内阻，而CPU工作时，电流大，这部分内阻就会损耗一定的电能，并转化为热量。

4、mos管内阻大小由器件的电流、沟道长度和沟道宽度控制。

mos管栅极电阻太小

把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。

mos管驱动电阻小于100下篇偏置电阻取最小。用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升与下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

谁能帮我推荐几个低内阻的mos管?谢谢

FHP4410低压MOS管为N沟道沟槽工艺MOS管，内阻小，抗过电流能力好。

你应该要问一下是什么参数之类的，这样好找一点，如电压，封装之类的，要不然不好找，像我们就是用AON6400 这个，30V 85A的，或者你直接问一下天亿电子，看他们有资料相关资料发给你。

华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。

ID =-50A RDS(ON) 13mΩ @ VGS=-10V，TO-252 28P55，VDS =-55V，ID =-30A RDS(ON) 40mΩ @ VGS=-10V，TO-252 。。还有封装形式要注意。TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。

说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物，以高功率MOSFET为例，英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET，而国内有能力量产的厂商寥寥无几，且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。

耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

3、当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。

4、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

5、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

6、p沟道耗尽型mos管在恒流区条件 可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段 而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。

关键词：mos管 电阻 超低内阻mos管 低阻mos管 栅极电阻 高压mos管 低内阻mos管

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