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1、a)uo=3V,因为二极管导通,导通压降0.7V,根据KVL可求出uo=3-0.7=3V。b)uo=3V,因为二极管方向偏置,处于截止状态,电路没有电流,R上没有压降,故uo=3V。
2、由图可知,二极管所加的是正向电压,且电源电压大于二极管的导通电压,所以二极管处于导通状态。\x0d\x0a输出电压是U0=U源-U管=3-0.7=3伏特(正值)\x0d\x0a(b)图。
3、vo1=5-0.7=3(v)vo2=0(v)。因为vd是反向连接不导通。此处开路。vo3=0.7-5=-3(v)注意是负的3v。vo4=5(v),vd反接,不导通,此处相当于开路。
1、分流电阻代表零偏压下光电二极管的结电阻。理想的光电二极管分流电阻无限大,但实际值可能从十欧姆到几千兆欧不等,与其材料有关。例如,InGaAs探测器分流电阻在10兆欧姆量级,而Ge探测器的分流电阻在千欧量级。
2、受变容二极管在调制电压为零时的直流电压Uo影响电压越大,斜率越小,电压改变则相应的电容Co改变,根据fo=1/2π根号LCo得出频率变化。则斜率改变。结论:与电压,斜率,电容有关。同时也受电压,斜率,电容因素影响。
3、你提出的问题有两个不对,我给你指正下二极管只有一个pn结。
1、理想模型 恒压降模型 折线模型 理想模型:理想模型 恒压降模型(串联电压源模型):V d 二极管的导通压降。硅管 0.7V;锗管 0.3V。
2、所以输出电压:VAO=-6V-VD。VD=UBA,是二极管正向导通电压。如果是理想二极管,则:VAO=-6V。
3、限流电阻R可用下式计算:R=(E-UF)/IF 式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。
关键词:二极管正向导通电压 电容 二极管方向 二极管处于 二极管电路 二极管的导通 分流电阻 电阻 二极管导通 二极管的 二极管方程 发光二极管 光电二极管
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