mos管ds压降（mosfet管压降）

发布时间：2023-07-18

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功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。

当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。

根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。

选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。

mos管ds压降（mosfet管压降）

场效应管的S极一般是接地的。你说的对地阻值应该是D极与S极的阻值吧。常见的场效应管：D极与S极是不通的。S极与D极有个几百欧姆的阻值。跟量一个二极管差不多。

MOS管的S极到电源负端之间通常会串联一个阻值极小的电流采样电阻（阻值通常在几欧到零点几欧之间），用作IC的过流保护采样用。

交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。

方法是：红表笔接G脚，黑表笔接D、S脚，电阻值为∞时，是N沟道管；电阻值为5-l0kΩ时，是P沟道管。表笔交换，黑表笔接G极，红表笔接D、S极，当电阻值为∞时，是P沟道管；电阻值为5～l0kΩ时，是N沟道管。

用0V/Ipk。这只是一个初步计算出来的值，在实际的应用中，再做调试。这个电阻用大了，在低端输入的时候会带载能力差，用小了，PF值会偏低和短路保护不好。一般要根据实际情况去调试。计算值做参考。

这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

n沟道mos管 p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。