mos管驱动能力（mos管的驱动能力）

发布时间：2023-07-19

阅读量：35

本文目录一览：

1、MOS管是电压驱动部件，驱动电流很小，具体驱动电流要结合周边电路来分析。

2、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

3、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

4、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

5、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

mos管驱动能力（mos管的驱动能力）

在原MOS管上并联相同的管子，如果前级驱动能力不足，同样可以加强。

用其他的MOS管波形比较好，SUP85N10-10的输入电容太大了，不知道怎么提高驱动电器的驱动能力按照器件手册的栅极驱动电压驱动功率管。

换成P沟道管。mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

由于前端I/O口的对外驱动能力（一般为十几或者二十几mA）有限，为了提高对MOSFET的驱动能力，因此采用图腾柱电路。

1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

2、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

4、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。