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AS短接，LED灭是正常的。当A（就是G极）悬空时，由于场效应管栅极极高的输入阻抗，会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时，GS之间要加一个电阻，防止栅极悬空引起错误动作。
由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。
夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。
1、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
2、输入阻抗高。由于栅源之间是SiO2层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。驱动电流小。
3、走线寄生电容一般3~5pF。根据查询相关信息显示，从ST手册可以查到，STM32F103的晶振输入电容是5pF，而PCB走线的寄生电容可以估值3pF到5pF。
4、这问题问的？MOS管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？小舢板也许只有3米长，大油轮也许300米都不止。
5、MOS管是电压控制的元件，它的栅极输入阻抗极大，几乎就没有电流经由栅极流向源极，也就是说Igs≈0。考虑栅极电流的情况，比较常见的只有一个，就是开关信号频率很高时，栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流。
在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。
栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。
1、寄生日电容，完全消除不可能。只能尽可能减少影响。例如线圈匝间电容，就可以用间绕，蜂房式绕法来降低寄生电容。
2、拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。耦合性就会变差。即漏感就会变大。所以平时调试变压器的时候应根据实际情况。比如传导（emi）差的话。
3、因此，寄生参数对传感器电容的影响基本上就可以消除掉。整体屏蔽法是解决电容传感器寄生电容问题的很好的方法，其缺点就是使得结构变得比较复杂。另外采用集成法也是消除电容传感器寄生电容干扰的一种有效方法。
晶体振荡器简称晶振，是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。石英晶体振荡器又名石英谐振器，简称晶振，是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。
然而，并不能说晶体振荡器完全替代电容电感振荡器。因为不同的应用场景有不同的要求，对于稳定性和精度有更高要求的电路可能会选用晶体振荡器。而对于一些简单的电路，可能会选用电容电感振荡器。
计算机的时钟发生装置叫做“晶体振荡器”。有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号，而LC振荡器稳定性较差，频率容易漂移（即产生的交流信号频率容易变化）。
计算机的时钟发生装置叫做“晶体振荡器”。晶体振荡器具有压电效应，即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形，反过来如外力使晶片变形哪并歼，则两极上金属片又会产生电压；如果给晶片加上适当的交变电压，晶片就会产生谐振。
计算机上的时钟发生装置叫做晶体振荡器。晶体具有压电效应，其固有频率十分稳定，因此晶体振荡器具有非常高的频率稳定度。是一个晶体的（石英）的压电效应通过利用高频率引起振荡精度当使用无源元件中的一个。
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
2、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
3、FET有三个主要端子：栅极、漏极和源极。施加到栅极的电压（VG）控制从源极IS流到漏极ID的电流。在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。
4、电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。
5、连接时应始终使用栅源电阻。这将有助于避免栅极处的噪声，也有助于释放器件的寄生电容。在mos管的栅极处应始终使用低量程电阻。最后，通过测试电路技术进行测试时，一定要使用低端开关电路。
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