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1、那么ASEMI的MOS管10N65如何测量好坏呢？测量mos管10N65好坏时要注意的几点 在测试mos管时，您需要采取一些预防措施。主要是：必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压。
2、MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
3、MB6S同系列其它不同型号的整流桥的区别就是适用电压不同。不同型号的整流桥的电性参数表如下所示。它们的共同点为：正向电流均为1A，最大瞬时正向压降均为1V。
4、TO-220AB封装具有较大的散热面积，可以有效地散发器件产生的热量，适用于高功率应用。
1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
V/180A、150V/110A、100V/180A 、100V/150A、100V/120A、85V/210A 、80V/250A、200V/40A、100V/250A、60V/300A、40V/300A、-100V/60A、60V/80A、60V/120A 、60V/100A、40V/120A 、100V/15A 海飞乐MOS管。
Vce。pulse规定值×0.7 ④ Pc 60Vce(sat) ×Min(IC. Max) 规定值×(0.5～0.7)⑤ R31和R32封装 (Vcc.Max-0.6- Vce(sat))2/R31，根据这个来选择电阻大小。
MOS开关管的选择，与开关电源的输出功率有关，与输入电压的波动范围有关，与电路中管子工作的激励方式和激励量有关。
1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
2、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。
3、首先需要说40V不是开启电压，开启电压又叫阈值电压，一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数，如果单看40V5A，一般指的的是漏源击穿电压40V，漏源额定工作电流5A。
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