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建议选择单管IGBT,IGBT是第四代逆变技术。是在第三代MOS场效应管的基础上升级改进的。技术比MOS管成熟,焊机性能稳定。民用单管IGBT代表品牌 佳士品牌 佳士宝系列。MOS场效应管代表品牌 瑞凌品牌 瑞凌系列。
华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS,有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS,NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
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