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1、根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数,如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
2、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流。
3、我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。
当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
v信号控制MOS管实现5V电源的通断,可以选择耐压20V的低压MOS管。相同封装,低压MOS管拥有更低的导通电阻,以及更低的栅源电压。通常仅需2V就可以导通。
选用合适的输入电压规格;选择合适的功率。为了使电源的寿命增长,建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源,则建议挑选大于130W输出功率额定的机种,以此类推可有效提升电源的寿命。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作性能。
如果你用的是普通51单片机,建议你用PNP的三极管,因为单片机灌电流能力比较强,一般可达20mA,而拉电流通常只有几十微安,所以设计成灌电流比较好,我常用2N5401的PNP三极管。
二极管选用1N4007,三极管选用TIP41C,MOSFET场效应管选用IRFP350,电流可达30A。输入电压48v,则保护电路上的基准电压大致为0.9V,只要取样电阻0.1欧上的电压大于0.9V,就会产生过流保护。
在10毫安以下,因此需要通过三极管进行功率放大。一般脉冲变压器的初级电压为10-20V,变比为1:1或降压,因此三极管一般选:电流0.5-2A,耐压大于等于100V,放大倍数100左右的开关三极管,对于工作频率没有特别的要求。
mos管和三极管只要器件参数(工作频率和toff和ton等)选择合理,驱动电路设计恰当,都可以保证其低功耗,考虑到三极管的驱动级电路功耗及复杂性,还是mos管优选。
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