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1、可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。
2、MOS管PDF中都有一个Vth的参数，这个参数是MOS开通的门限电压，当MOS管GS两端电压低于此电压时为低，高于此电压时开始导通，当高于Vmiller（这个PDF中不一定有）电压后完全导通。
3、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
4、它这里如果说了低电平的话，那输入的电压肯定就是低电平的范围，数字电路里面高低电平的范围是严格划分开的，既然前面说了4v是高电平，那4v存在在高电平的范围里面，而基极给低电平那么三极管发射极绝对是正偏的。
5、电子电路中高电平是电压高的状态，一般记为1。电子电路中低电平是电压低的状态，一般记为0。高低电平的划分对于TTL来说高电平是：4V-0V。低电平是：0.0V-0.4V。对于CMOS来说高电平是：99-0v。
高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。在逻辑电平中，保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于输入高电压（Vih）时，则认为输入电平为高电平。
N沟道的MOS管 D流向S G大于S极4V左右就完全导通。 P沟道的MOS管 S流向D S大于G 4V左右 完全导通，我觉的没有必要太注重几V是高低电压。了解导通条件就可以了。
高电平和低电平是指电量在相同阻抗下的相对比值。高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。
寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。
开始上升较快的一段是可变电阻区。再说转移特性曲线吧，根据这个你在设置电路的时候就可以根据情况确定UGS两端施加正压或者负压，对确定静态工作点有用。
1、TTL电平： 输出高电平4V，输出低电平0.4V。在室温下，一般输出高电平是5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。
2、TTL电源电压只能是5V，电平大致如下：\r\n输出高电平电压≥7V，典型6V，输出低电平电压≤0.5V；\r\n输入高电平电压要求＞2V，输入低电平电压要求＜0.8V。
3、TTL高电平6~5V，低电平0V~4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。电路输出电平不同。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。电路不使用的输入端不同。
4、TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于4V。输入，低于2V就认为是0，高于0就认为是1。CMOS电平：输出 L： 0.1*Vcc ； H：0.9*Vcc。
也就是说输出端只输出高电平而不输出大的电流。在电路上讲输出阻抗很较大，这样就不会影响下一级电路的设计了，这是大部分电路的理想要求哦 至于肖特基二极管，应该是用来钳位的吧，保证输出不会高于某个电压值。
当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。
MCU（微控制器单元）4脚输出高电平时，光耦都不导通，光耦输出集电极被电阻上拉为高电平，JP15输出 13V高电平，同时MOS管导通，1，2两脚相当于开关闭合。MCU。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。也就是说输入电压得到放大了。
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