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可控硅在反相关断时,承受反向电压的瞬时毛刺电压过高 在中频电源的主电路中,瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。
可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。
是。可控硅一经导通后,即便减少控制极电压或去除控制极电压,可控硅是依然导通的,并且击穿短路是可以导通的,由此得知是击穿后100%导通。
可控硅的工作原理为:要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。
你好 ——★“可控硅一旦触发后,不就一直导通了吗?”...是的。——但是,在交流电流的“过零点”,可控硅就会关断的。
检查触发线对应的输出端子(注意!该类故障常见)。
中频电炉在长期的使用过程中,可能会在电容的冷却管里结水垢或者进水系统进入杂物堵塞而导致电热电容过热而烧坏。
可能是你的可控硅性能指标偏低,而你的炉子频率高关断时刻电流偏大,可以增加RC缓冲电路保护,同时散热片与可控硅间填入导热硅脂并旋紧安装螺柱。
1、负载回路的绝缘降低,引起负载对地间打火,干扰了脉冲的触发时间或在可控硅 两端形成高压,烧坏可控硅元件。
2、中频电炉在长期的使用过程中,可能会在电容的冷却管里结水垢或者进水系统进入杂物堵塞而导致电热电容过热而烧坏。
3、根据经验判断,可控硅烧坏和可控硅本身不是主要原因,可能是反馈的信号不准确导致的,也有可能是加速过快,要慢点加,分段加,保持一段时间再升,建议采用走时间程序。
4、可能是你的可控硅性能指标偏低,而你的炉子频率高关断时刻电流偏大,可以增加RC缓冲电路保护,同时散热片与可控硅间填入导热硅脂并旋紧安装螺柱。
.05t~5t中频成套设备,电源进线电压380V,500KG以上的还可以是720V,出线电压就不一样了。还有炉体电压更大。
中频炉的电流和功率是有关的,直流电压*电流=功率。380V供电中频电压可以达到1000V以上但是因可控硅,电容器耐压受限,如果电容器的耐压是750V中频电压只能调到750V-850V。你可以去。
伏。中频炉直流电压在变压负载的电源电路中,连接起来补偿电容器的毁坏将其拆卸,因此工作电流是1000是电压750伏正常。中频炉是一种将工频50HZ交流电转变为中频(300HZ以上至1000HZ)的电源装置,配上感应圈及补偿电容器。
v。中频炉的直流电压反应进线电压经过中频电源整流以后的直流电压数值,通过中频炉的直流电压的数值可以判断一个设备功率因数的情况,这个值一般等于进线电压的35倍,380V进线电压的直流电压为513V。
交流进线指示为1000V,中频电压最高为1600V,左右两套整流柜的直流电流应基本均衡,出现一台无电流指示时立即关闭中频电源并重新启动,故障若继续存在则找相关技术人员进行处理。每隔1小时检查水路是否通水,温升是否过高。
中频炉正常工作(此刻保证柜子上的电压电流恒定),5分钟后,看电度表上走了多少字或者转了多少圈,这个是有功功率的电度数。
1、在其它条件相同的条件下,IGBT电炉比可控硅电炉节电0.0976%,几乎可以忽略。如改变其它条件,IGBT电炉采用串联逆变,通过提高中频电压节电,那就是另外回事了。
2、这个问题太专业了,不敢妄加评论。如果可以,那么它确实是高科技了。
3、稳定可控硅的技术水平已经很成熟了。IGBT的小功率的也没问题的啊。
4、你买的是可控硅中频炉,电路中谐波大,耗能大。可根据中频炉的功率大小来选滤波器。晶体管中频炉功率因数达到0.97并且电路中谐波小,不需要无功补偿和滤波器。晶体管中频炉比可控硅中频炉节电28%。
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