mos管驱动电阻计算（MOS管驱动电阻计算平均电流）

发布时间：2023-05-12

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本文目录一览：

1、低压mos驱动电阻选多大
2、mosfet的驱动电阻是如何计算的？我看见有人在驱动电阻上反向并联一个二极管，这个二极管什么功能？？
3、mos管漏源导通电阻
4、怎样测MOS管的导通电阻

低压mos驱动电阻选多大

1、R1大概4K7-10K。

2、R2是Q1的负载电阻，并和R3为Q2提供基极电流，大概1K-4K7。

3、R3是根据R4来计算的，计算一下电流，放大位数，大约在1K-4K7左右。

4、R4大约漏塌取100R-470R之团余间，塌搜滚R4太小了电流太大，三极管Q2过热。

5、一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻。

mosfet的驱动电阻是如何计算的？我看见有人在驱动电阻上反向并联一个二极管，这个二极管什么功能？？

你好，驱动电阻很重要，那个2机管用来定义开通电阻和关断电阻用的，具野滚体选多大要根颂李余据mos的ciss，Qgd来定义！

所以你说的220ohm，不扰凳一定就只最佳的，要根据实际来定义！

可以探讨7824542@qq.COM

mos管驱动电阻计算（MOS管驱动电阻计算平均电流）

mos管漏源导通电阻

MOSFET的导通电咐腊友阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

对于衡槐实际的MOSFET，考虑到源、漏的串联电阻，则总的导通电阻应局拿该是 Ron+Rs+Rd.

怎样测MOS管的导通电阻

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

这个方法是曾经做电机驱动时候的哗型计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说乱樱猜MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型颂腔的内阻，只要完全导通，误差不很大。

mos管

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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