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锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压誉斗降较高为0.3伏。
晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。
集电极电流基本上取决于负载电阻的大小。根据三极管的饱和深度不同，管压降也不是一个定值。可以略有变化，但饱和电流与管压降的乘积不能超过管子的最大功耗，以免损坏。
扩展资料：
三极管具有电流放大作用庆镇磨，是电子电路的核心元件。三极管在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分.
中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅旅拆原子。
参考资料来源：百度百科-三极管
说的是在神毕基极B与陵羡发射极E之间加上正确的电压后,集电极C和发射极E之间的饱和压降,这就是常说的三极管尺瞎拍的管压降
管压降-----就是Uce，集瞎凯和电极磨盯与发射极之间的电压。
发射结压降----就是Ube，基极与发射极之孙早间的电压。
饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
工程中，其实饱和和放大的边界远没有那么清楚，是一个很模糊的概念，对于小功率管而言，基本上UCE=1V开始，就逐步进入饱和区了，UCE越小，饱和程度越深。到了UCES后，就完全进入饱和状态了，但是饱和程度还可以继续加深，小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右，这时候可以说是深度饱和了。
UCES这个数值在功率放大电路做升粗计算过程中特别有用纯镇，可以计算功率管自身管耗，进而计算效率。
把追问也回答好吧。
你按UCES计笑迟算出来的是放大区的最大基极电流，但对于饱和区来说，这个电流还不是最大的基极电流。
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