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两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
接电源负极，就是要把负极线外皮剥开后与所接的线进行焊接，接好后用绝缘胶带包好。C端集电极，接控制器；B端基极，接刹车信号；E端发射极，接电源负极。
饱和状态使用时：pnp三极管的发射极接电源正极，基极，集电极接电源负极，集电极或者发射极串联负载；npn三极管集电极和基极接电源正极，发射极接电源负极，集电极或者发射极接负载。
三极管工作的理论原理：三极管分为锗管和硅管。
晶体三极管是由两块N或p型二极管、中间夹着一层P或N型二极管构成，分为集电极、基极、发射极。集电极负责补充能量，基极负责触发控制，发射极负责输出。
三极管工作原理：通过输入小的交流电，控制大的静态直流电。具体原理：三极管可以不断地监视，流过基极与发射极之间的电流，并可以控制集电极-发射极间电流源，使十到数百倍的基极-发射极间的电流，在集电极与发射极之间流动。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，(其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电)。
1、电源电压过高 当电源电压过高时，电动机反电动势、磁通及磁通密度均随之增大。由于铁损耗的大小与磁通密度平方成正比，则铁损耗增加，导致铁心过热。 而磁通增加，又致使励磁电流分量急剧增加，造成定子绕组铜损增大，使绕组过热。
2、半导体三极管在工作时，电压过高、电流过大都会令其损坏。输入信号过大， 或偏置过大， 使得流过发射结的正向电流过大， 结上功率损耗过多而将发射结烧坏。
3、三极管的b极电流过大会引起c极电流增大，放大倍数也相应变大，会引起三极管发热烧坏。三极管b极电流大也可能是施加在b极的偏置电压过高或不适合出现三极管b极（基极）电流过大或三极管本身质量不好出现b极电流过大的现象。
在实验中的小信号，一般是10mV-1V较多见，特别是在放大电路中，具体要根据电路的放大能力而定，基本的标准是，放大后的结果不能超过电源电压。
但实际中要放大的信号往往远比0.7v要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7v时，基极电流都是0)。
三极管内部的PN结构起着放大和控制作用。在普通状态下，三极管处于一个“关着”的状态，基极的激励信号较小，三极管的硅材料并不是导体而是介质，所以它内部就不存在大的电流传输，无论是在集电极还是要么在发射极都无法传输。
1、直接测量法：先测出空载电压，然后再测出一定负载下的电压，两者的差值比上负载电流就是输出电阻。公式法。分别测出负载开路时的输出电压，和带上负载后的电压。输入电阻是用来衡量放大器对信号源的影响的一个性能指标。
2、给定幅度是Usm的输入正弦电压信号，测输出电压幅度Uom，保证不出现截止或削顶失真，比值Uom/Usm即是放大器电压放大倍数。设放大器输入电阻为Ri，信号源内阻为Rs。信号源空载，测量其正弦电压的有效值Es或幅度Esm。
3、按照同样方法可以判别NPN型三极管的极性。③利用数字型万用表测量三极管的电流放大倍数β： 将功能开关置於hFE档。
4、输入电阻的测量：在该电路输入部分加上一个测试电阻，然后分别测量测试电阻的两端电压和输入端口的电压，通过计算平均值来得出输入电阻。
5、输入和输出的阻抗并不是直接用万用表来测量的，那是测量不到。对比一个三极管的共发射极放大电路的输入阻抗就可以看出来。理想运放的输入阻抗是无穷大，输出是无穷小，但现实不是，运放的输入阻抗是不统一的。
6、使用万用表的电阻测量功能测量三极管的发射极和收集极之间的电阻。 使用恒流源测试三极管的放大特性。在恒流源的条件下，测量三极管的输出电压和输入电压的关系，了解三极管的放大倍数。
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