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mos管夹断（mos管夹断条件）

发布时间：2023-07-21
阅读量：25

本文目录一览：

为什么mosfet会在漏极夹断??机制是怎样的??

1、当VDS 增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到 VGDVGS(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。

2、而在S端比较宽的情况，如果UDS继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。

3、大侠，图呢？好吧，没有图也没问题，所以的mosfet的图都差不多。 关于夹断。是因为Vdrain的电压增加，导致电子通道关闭（就是三角形的尖端）。你的理解也可以。如图： 没错。Cox，就是以二氧化硅为介质的电容。

4、因此，MOSFET在源极和漏极之间提供集控制的电阻，而这个电阻是由栅极电压的大小来控制的。 更高的栅极电压意味着更大的导通电阻，并且会导致更大的电流通过。

5、MOS管的夹断区和饱和区的区别是：Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。

mos管漏的夹断区为什么是倾斜的

1、当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。

2、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

3、以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。

4、因为在沟道夹断以后，当UDS 逐渐增大时，所增加的电压将主要降落在夹断区（使夹断区有一定的扩展），而剩余的沟道尺寸基本上不随UDS 的增大而变化，所以通过剩余沟道的电流——也就是输出电流ID基本上不变。

5、而在S端比较宽的情况，如果UDS继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。

6、越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

MOS管的夹断区和饱和区的区别是什么

开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。注意：MOS管的饱和区和三极管的饱和区，完全不是同一个概念。

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

通俗说：截止区就是不导通，放大区就是随电流的改变工作点呈线性变化，饱和区就是工作状态时工作点不随电流的增加而改变。

MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出于夹断电压的点时VDS=...

1、夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

2、以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。

3、一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能 要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。

4、Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。

5、使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

Mos管夹断后,为何还能导通?

1、因为夹断后它的漏端形成了空间电荷区，由于空间电荷区的高电场作用，在沟道中的电荷当遇到这个区域时会很快的被扫到漏端，即其导电机理。

2、如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电，所以栅极的电压其实还是基本维持在5V，越大的MOS管电容也就越大，这个现象也就越严重。

3、你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

为什么n沟道增强型mos管不能夹断

源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

以NMOS为例，当栅极加高电平在P型衬底中形成N沟道：这是由于栅极电平比栅下的p衬底的电平（衬底是与S一起接地的）高，由于电场作用吸引了少数载流子--电子，然后与两个有源区形成的N沟道。

关于夹断。是因为Vdrain的电压增加，导致电子通道关闭（就是三角形的尖端）。你的理解也可以。如图： 没错。Cox，就是以二氧化硅为介质的电容。 JFET是depletion，耗尽型器件。pinoff现象对所有的FET都是一样的。

其原因就是往沟道区域注入了磷离子或砷离子，一般来说是磷离子，砷离子常被用来作为S、D区域的注入。如果是N沟道增强型MOS管被做成了N沟道耗尽型MOS管，则可能的原因比较多，需要你提供进一步的信息。

关键词：mos管 电容 电阻 n沟道增强型mos管 IC芯片 增强型mos管 导通电阻

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