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光耦隔离pwm（光耦隔离pwm驱动电路）

发布时间：2023-07-21
阅读量：26

本文目录一览：

光耦隔离电路的问题?

1、图2在输出高电平时，电流大，带负载能力强。缺点是如果后面的电路对地短路了，就烧掉光耦了。

2、光耦失效。光耦隔离电路无法断开是因为光耦失效问题引起的故障。光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离。光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏三极管封装在一起。

3、你设计的思路是这样的：正常情况下，当光耦接入高电平时光耦导通，三极管基极电压通过光耦的后面到地，三极管截止，继电器线圈没有电流通过继电器断开。没有输入高电平时继电器是闭合的。

光耦隔离电路和加热电路

当PWM输入为低电平时，光耦导通，输出端三极管饱和，电压接近0V，此时NMOS管的UG小于开启电压，NMOS管没导通，RDS很大，所以加热片上的压降很小，相当于没加热。

这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。

简单的说，光耦隔离电路使被隔离的两部分电路之间没有电的直接连接，主要是防止因有电的连接而引起的干扰，特别是低压的控制电路与外部高压电路之间。

求大神看看这个pwm输入经光耦隔离的电路分析

1、前面是个非门用来扩大驱动能力，非门输出低电平光耦里的二极管就亮了。

2、出现这个问题，应该是你的光耦器件的频率打不到你的要求，你查查那个光耦的数据手册，看看正常工作时候最高能到多大频率。一般光耦的频率不会很高，用来做PWM隔离或者通信用的光耦，叫高速光耦，价格都不一样的。

3、当PWM输入为高电平时，光耦未导通，根据电阻的分压，输出端电压接近12V，此时NMOS管的UG大于开启电压，NMOS管导通，RDS极小，所以加热片上的压降很大，电热片加热。

4、比较器输入极性稍加变动，亦可用高电平封锁PWM信号。这种缺相保护电路采用光耦隔离强电，安全可靠，RPRP2用于调节缺相保护动作阈值。

5、图1输出高电平时串了一个电阻，使电流很小，如果后面的电路输入阻抗低，就会造成电压降低，甚至工作不稳定，但光耦是安全的，不会被烧掉。因此，图2抗干扰能力强，但不够安全。图1电路不容易坏，但带负载能力差。

6、QQ3会处在导通状态，导致大电流流经这两个三极管，不损坏管子也令其功耗加大 此电路的作用是对输入的PWM信号进行功率放大，光耦可使输入信号与输出信号进行电源隔离，也就不必电源共地连接。

想用单片机输出的PWM直接驱动mosfet管,需要加光耦隔离吗

1、对于Vds不高功率不大的MOSFET来说用5V的TTL电平可以直接驱动（只限于不需要隔离的电路）。如果不符合上述条件就必须使用MOSFET或IGBT专用驱动光偶或IC，并在2次电路采用隔离供电。

2、可以加，单片机管脚驱动能力有限，光耦可以很好的驱动三极管；光耦的隔离作用，使得单片机免受干扰，系统更稳定；防止负载端故障烧毁单片机IO。

3、单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。

4、使用普通的光耦就可以了，比如PC817或者TLP512来驱动N沟道的MOS管。

5、最好是有隔离的，光耦6N137频率是够，但一般用于数字信号隔离，输出电压低了。最好用开关管专用驱动光耦，像TLP250。25K的频率，BUCK电路够用了，频率再高，MSP430也不好调占空比。

想要用一个5V左右的PWM信号来控制一个MOS管的开关,希望用到光耦作为中...

PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

v信号控制MOS管实现5V电源的通断，可以选择耐压20V的低压MOS管。相同封装，低压MOS管拥有更低的导通电阻，以及更低的栅源电压。通常仅需2V就可以导通。

PWM信号可以控制MOS，进行电压控制。有一个MOS管，PWM的占空比变化（比如从50到100%），MOS管输出电压（比如100V）会变化（在这样的情形下，比如在纯阻性负载上，其峰值电压还是100V，平均值为50V）。

关键词：继电器 三极管截止 电阻的 高速光耦 三极管饱和 光耦 光敏三极管 一个电阻 .光耦 发光二极管 三极管封装 电阻 光耦隔离 三极管基极电压

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