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1、cmos反向器应用中。则主要是考虑上升时电路单元的输出电阻或电流驱动能力与后级负载电容的关系，当后级电容比较大的时候，下降时延迟就比较明显，解决方法是尽量减小后级输入电容，选择驱动能力强的电路类型，或者直接加驱动级。
2、电压导通mos管上升时间在20ns左右。因管子之间差异很大，时间有所不同，下降时间会长一点。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
3、第一个关系比较相关，第二个相关性较低。学好理科的方法：想比别人优秀，就一定要比别人付出得多。
4、根源材料本身有缺陷，会导致延迟产生。当光照到器件时，产生电子空穴对，这些电子空穴对分离之后，有的被电极收集，形成光生电流。有的则被缺陷所捕获，形成中性杂质。
当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
既然都用单片机了，就用单片机控制模块供电好了，还搞个专门的延时电路干嘛？简单的，电容延时，NPN，PNP控制模块供电。
IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
导通时序可分为to~tt1~t t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。 t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th） ，导电沟道没有 形成，MOSFET仍处于关闭状态。
1、上图为本人设计的简易延时断电电路，使用电容充放电的原理实现延时。主回路采用MOS管当开关，比继电器可靠而且无噪音，也可以将MOS管改为晶体管、可控硅等。
2、如图所示，闭合开关K1，电容被充电，放开开关后开始定时，通过电阻给三极管B极驱动电流，达到延时的目的。。一般在三极管C极接一个继电器来控制别的东西就可以达到延时的目的了，延时时间与B极电阻和电容的大小有关系的。
3、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
4、例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。
1、反向器的速度与哪些因素有关？什么是转换时间（transition time）和传播延迟（propagation delay）？ 反相器的速度与哪些因素有关。（1）电容（负载电容、自载电容、连线电容）较小，漏端扩散区的面积应尽可能小。
2、从电流角度看的话，就直接是RC电流充放电了，可以直观理解：电流越大，时延越小，电流越小，时延越大。
3、反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。
4、芯片CD4069的理论延迟时间和输入的信号电压有关，上升，下降时间典型值，VDD=5V时100ns，VDD=10V时50ns，VDD=15V时40ns，六反相器74ls04从低到高9ns，从高到低10ns。
mos管导通原理MOS管导通原理是指在MOS管中，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管就会导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。
优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。
导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
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