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这是过载了，芯片进入了降频保护模式。5V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。
驱动信号含有直流分量，要加隔直流电容。变压器输出不含直流，脉宽变动基线会浮动，要加“钳位”。缺少阻尼电阻，形成振铃。更改后电路如图，参数是50kHz条件下的。
电压启动回路：ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。PWM控制器：有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
梯形是驱动速度不足的现象，可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断，或在G极加一个图腾。
原因包括：驱动电路中的电容或电阻出现故障，导致栅极电压无法正确地施加到MOS管上。mos管本身存在损坏或质量问题，导致其无法正常工作。
mos管的波形有跳周期的现象，不知道是不是示波器显示的问题，你可以周期打小看看，这些空隙的地方会不会消失。
场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
p沟道耗尽型mos管在恒流区条件 可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段 而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。
可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。
接了负载之后，输出的波形会受到负载中的容抗和感抗等影响，因此波形肯定会和空载时不同的。 实际上，SPWM本身是一系列占空比变化的方波。 因此，你的结果是正确的。
因为管子与母线电容距离较远，回路中有较大的寄生电感。
有振铃正常的，只要振铃不严重就无需理会。想办法降低漏感、适当进行补偿、调整尖峰吸收网络即可消除或减小。
振铃现象产生的原因：如果信号传输过程中感受到阻抗的变化，就会发生信号的反射。这个信号可能是驱动端发出的信号，也可能是远端反射回来的反射信号。
原因有：高次谐波过多、电路储能不足（滤波不够）。
1、直接接上电压，BON1加上一个信号就可以了。
2、两只mosfet尽量选取特性一致的，且单只耐压大于总VDS的一半，悬浮高压略低于VDS的一半。这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。
3、导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
4、“给单片机供电”的应该也是电压取样点。如果电压高了，单片机就通过“隔离变压器”关闭MOS管。“隔离变压器”应该是MOS管的驱动变压器。3个100欧姆电阻主要是考虑功率较大，一个300欧姆贴片电阻功率不够。
5、用变压器隔离的信号，必须是经变压器隔离还能保证信号波形不变的信号，否则只能用另一种价格昂贵的隔离装置。注：文中所说的“观测三相电压的AB之间的电压”，还要考虑示波器的最高允许输入电压。
关键词：电容 可变电阻 阻尼电阻 变压器驱动mos管 开关电源mos管 驱动mos管 p沟道耗尽型mos管 直流电容 二极管加 电路中的电容 增强型mos管 mos管 电阻
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