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1、一般极性相同(同为N或P),耐压大于或等于原耐压,电流等于或稍大于原电流(稍小也行),不要相差过大。即可代换,最好是原规格代换.应急的时候就另外想法了 再看看别人怎么说的。
2、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
3、可控硅能用2516能替代 S2514可控硅后面还有英文字母BH、DH、MH或NH等。
1、mcc26-16io1b模块表示二极管双向可控硅模块含义。IXYS艾赛斯双晶闸管模块,Vrrm=1600V,SCR模块体管,平均通态电流32A,最大栅极触发电流100mA,面板安装安装,7引脚TO-240AA封装。
2、晶闸管模块也叫可控硅模块,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
3、可控硅模块型号 看这个型号,知道就是 前面字母有可能是厂家。
4、MFC可控硅模块的作用三:用作无触点开关 MFC可控硅模块的作用之三就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。
5、MTC模块采用整流管及混合模块组装而成,用于感应加热、斩波器等方面。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。最早是在1970年将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
6、可控硅模块一般用作可控桥或交流(调压)开关使用。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
B是Bi-directional ,代表双向;T是Triode 代表三端;A代表绝缘,B代表非绝缘;16代表电流是16A;800代表电压是800V BDAIBAIO 触发电路IGT50mA,C代表IGT25mA。
Y代表绝缘的意思。像ST BTA16-600B 也是双向可控硅 其中BTA中的A代表绝缘的,像BTB16-600B 中的BTB就是不绝缘的。
1、而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅,单向的有MCR-100等,双向的有TLC336等。
2、双向可控硅:是在普通可控硅的基础上发展而成的,不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。单向可控硅:是一种可控整流电子元件。
3、单、双向可控硅旳判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
4、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
MTC-110-16 是可控硅(晶闸管)模块,内部有两个相同的可控硅。A 是阳极, K 是阴极, G 是控制极。
可控硅模块一般用作可控桥或交流(调压)开关使用。
MTC可控硅模块是普通可控硅模块,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT也称可关断可控硅。
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
MTC模块采用整流管及混合模块组装而成,用于感应加热、斩波器等方面。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。最早是在1970年将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。第二部分用字母表示晶闸管的类别。第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。第四部分用数字表示重复峰值电压级数。
性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。
MCR 100-6可控硅属于MCR 100系列,它们的管脚排列都是一样的。拿起可控硅,把表面平的那一面(也就是带有数字型号的)朝向自己,从左到右依次为K, G, A。主要用于继电器灯控制、晶闸管门里驱动。
可控硅型号 按一机部IBI144一75的规定,普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:额定速态平均屯成系列共分为14个,如表1一5所示。
与单向可控硅的区别是双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时,其导通方向就随着极性的变化而改变,从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分。
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