双向可控硅驱动电路（双向可控硅驱动电路图）

发布时间：2023-05-18

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本文目录一览：

1、用双向可控硅控制点焊机的通断电路
2、三极管驱动双向可控硅电路
3、超大电流双向可控硅驱动电路
4、在光耦合双向可控硅驱动器电路，光耦合器件内的发光二极管亮了之后不是直接导通了吗？那么VT起什么作用？
5、可控硅驱动电路
6、双向可控硅电路工作原理求解释……

用双向可控硅控制点焊机的通断电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由谨做于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。

1 过零检测电路

电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断饥早服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

2 过零触发电路

电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通，MOC3061 导通，触发BCR 导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加烂晌雀上感性负载自感电动势el 作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。

三极管驱动双向可控硅电路

可控硅和SIP2互族如换位置，可控硅T1脚接直流电的负极。还有那MCU的2脚即ⅤCC脚串联一个电差穗绝容，那直流电源也不虚姿通啊，MCU没有电源哪。把MCU的2脚要接在稳压管负极上，即VCC那点上。

超大电流双向可控硅驱动电路

R2R3要按BTA100的栅极电流计算一败段般为几千欧。功率要在2W以上。MOC3052最好培备是察中誉固态继电器。

在光耦合双向可控硅驱动器电路，光耦合器件内的发光二极管亮了之后不是直接导通了吗？那么VT起什么作用？

moc3041 和李友一般光耦不一样，因为其输出可以直接触哪乱槐发可控硅。

光耦内的发光二极管点亮後由内部右边的检测器检测到，後输出触发可控硅的信号。

假设光耦的右边部份导通，但电流仍然要经过R1 R2才到达负载，R1 R2的串联阻值400欧，这个大阻值不可能让足够陪散电流流到负载而令其正常运作。VT就等如一个开关掣，由moc3041的输出触发信号来控制。

可控硅驱动电路

光耦的应该会有两个电源的是吧？！一个高电压，一个低电压，可以隔离开来，这陪誉样安全性简乱世拦肢能比较高；

脉冲变压器的话，一个电源搞定，方便省事。

各有好处，看用在什么情况了。。。

双向可控硅电路工作原理求解释……

你看一下双硅的等效图就会明白的双硅跟单硅不同控制极加的是一个交流触发电压触发电压来自绝运圆于R2和悄猛R3的分压后经光耦控制可控硅的导通从而控制负载并塌工作还是停止在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用即便去掉光耦负载也能够工作只是停止不了所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角达到控制可控硅输出电压的目的

双向可控硅驱动电路（双向可控硅驱动电路图）