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1、栅极阈值电压(VGS)：4V 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 AO3400贴片封装系列。它的本体长度为7mm，加引脚长度为95mm，宽度为1mm，高度为3mm，脚间距为9mm。
2、ASEMI的AO3401是属于场效应管，属于电压控半导体器件，AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点，AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。
3、AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是：持续漏极电流(ID)为8A，漏源电压(VDS)为30V，栅极阈值电压(VGS)为4V。
4、功耗（PD）：4W 二极管正向电压(VSD)：2V 最大脉冲正向电流ISM：30A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 AO3400是SOT-23封装系列。
5、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
6、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
假设两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。
当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。N型MOS管四端器件 当栅源电压差小于阈值电压时（工作在亚阈值区），漏源之间有很小的电流，和栅源电压成指数关系。
一般来说，nmos管的宽长比为pmos的1/3。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
图中只有源极2与漏极3之间存在一个二极管，栅极1与源极之间并没有二极管。你大概把那个表示“P沟道”的箭头符号看成二极管了。箭头冲上指，表示P沟道，箭头冲栅极方向指，表示N沟道，并不表示二极管。
场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。
大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。
当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。
先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
N型MOS管四端器件 当栅源电压差小于阈值电压时（工作在亚阈值区），漏源之间有很小的电流，和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时，并且漏源电压较大时，漏源之间有较大电流，其与栅源电压成平方关系。
在测试mos管时，您需要采取一些预防措施。主要是：必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压。MOS管的漏极电压和栅极电压不能超过击穿电压。应选择合适的限流电阻给LED供电。连接时应始终使用栅源电阻。
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