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1、MOS管作用:用途广泛,包括电视机高频头(高频,小电流)到开关电源(高压大电流),现在把MOS和双极型(普通三极管)复合在一起(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于大功率领域。
2、mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
3、为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),其具体工作原理为(参见下图):截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。
MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行:确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。
一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中 示波器里量测电阻前后对地波形,可以看到电阻前的PWM比后面的要直。
把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。
mos管中G代表栅极,S代表源极。电压是相对的,所以Vgs是栅极相对于源极的电压。
Vgs是负压是PMOS类型的管子。Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样,导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区,临界饱和点和饱和区。当然,不论NMOS还是PMOS,当未形成反型沟道时,都处于截止区。
Vgs就是栅极对源极的电压,如果源极直接接地,栅极电压就等于Vgs。
1、MOSFET-P和MOSFET-N的区别:MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道;为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。
2、场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。
3、)N、P沟道如何区分?箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3)寄生二极管方向 N沟道,由S极指向D极。P沟道,由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道:UgUs时导通。(简单认为)Ug=Us时截止。
将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极GG2。为区分之,可用手分别触摸GG2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
MOS管作用:用途广泛,包括电视机高频头(高频,小电流)到开关电源(高压大电流),现在把MOS和双极型(普通三极管)复合在一起(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于大功率领域。
首先是MOS符号,一楼的说的不错,有很多种表示方法。一般来说,我们都是把右边三条竖线连在一起的,也是比较通用的表示方法。
耐压值,额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数,其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
关于MOS管记住几点就可以了 P和N 。这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话,这是关于MOS最重要的知识。增强型耗尽型。
mos是半导体制品,不是电阻,不能用上面的数据说话,你换个别的表值就变了。1,透过掩模的值,非工作值,没意义。2,对n沟道,GS电压控制DS之间导通程度。
1、开关状态工作在可变电阻区(此区相当于饱和导通)和夹断区(此区相当于截止)。放大状态工作在饱和区。注意:MOS管的饱和区和三极管的饱和区,完全不是同一个概念。
2、判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
3、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容)。
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