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1、ao3400,N沟道的场效应管,sot23封装,30V耐压,导通电阻100毫欧,过100mA电流时压降不到10mV。
2、VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
3、A对于一般的增强型MOSFET场效应管来说,简直是小菜一碟,轻轻松松就可以上到这个水平,反倒是小功率场效应管很难买,因为用的人实在太少。2N60,4N60可以在你要的12V1A、12V2A的电路上使用。
4、如果既要追求小体积又要追求低压大电流,那么以下MOS管就是较好的选择了。IRF1404耐压40V耐流162A最大功率200W,适合10V以内使用,TO-220封装。IRF1407S耐压75V耐流100A最大功率200W,适合约19V以内使用,TO-263贴片封装。
1、N7002 是最常用的,低于2毛,你可查看一下规格书。
2、-5v可以驱动的mos管,所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到,MOS,是MOSFET的缩写。
3、不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。
很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
N60C可以替代2N60的。2N60是功率场效应管参数是:硅、500V、2A、55W、RDS(on) ≤ 1 Ω、带阻尼;12N60C也是功率场效应管,参数:硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。
关键词:信号mos管 mos管 开关三极管 功率开关器件 功率mos管选型 开关器件 电容 可控硅 小功率mos管 电阻 导通电阻
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