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1、单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3V,而你的MOS管在Vgs=3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加MOS管驱动电路。
2、对于Vds不高功率不大的MOSFET来说用5V的TTL电平可以直接驱动(只限于不需要隔离的电路)。如果不符合上述条件就必须使用MOSFET或IGBT专用驱动光偶或IC,并在2次电路采用隔离供电。
3、STC12C5410输出的PWM波是能直接驱动MOS管的,MOS管是用电压驱动的,而STC单片机输出电压足够驱动的。
1、电路原理图:单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西, 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以,要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲,最好用N沟道的MOS。
2、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型:N型和P型。
3、估计你的负载短路保护电路是为了保护mos管。从图纸推断你的B-应该接地。
单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3V,而你的MOS管在Vgs=3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加MOS管驱动电路。
STC12C5410输出的PWM波是能直接驱动MOS管的,MOS管是用电压驱动的,而STC单片机输出电压足够驱动的。
这要看你的MOS管了,一般是不可以的,不过有些新开发的型号,有的称作logic mosfet的门限电压比较低,但这类MOSFET功率都不大。
应该要的,一般光耦驱动电流很小50ma max.如果你的驱动频率很高,因为s-d极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
对于Vds不高功率不大的MOSFET来说用5V的TTL电平可以直接驱动(只限于不需要隔离的电路)。如果不符合上述条件就必须使用MOSFET或IGBT专用驱动光偶或IC,并在2次电路采用隔离供电。
1、A电流够大的,20V/10A,这样的参数,用大功率的场效应管或者IGBT了,这个功率电路设计是个难点,不太好搞,很容易烧东西,有一定危险性。
2、我用过STC12C5410AD作为PWM输出的,直接按照文档配置相应的寄存器就可以了啊。
3、驱动MOS管的芯片有IR2110,IR2114等芯片。他们主要是为高端MOS管设计的,当然也能驱动低端MOS管。对于低端MOS管一般不需要使用专门的驱动芯片。
4、低电平720us完后,单片机又给引脚一个高电平信号,引脚就又变成高电平了,周而复始。用延时或定时器的方法使单片机有规律的给引脚高电平、低电平,这样PWM就产生了,单片机就不用一直只忙着产生pwm了。
5、要实现单独的4路舵机控制的话,我建议使用具有至少4路PWM的单片机。比如AVR系列的有Atmega128,可同时产生6路12位的PWM。51系列的有STC12C5410AD带4路PWM。
1、可以,但导通电阻较大,因为功率MOS的G极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动MOS管。
2、这要看你的MOS管了,一般是不可以的,不过有些新开发的型号,有的称作logic mosfet的门限电压比较低,但这类MOSFET功率都不大。
3、应该要的,一般光耦驱动电流很小50ma max.如果你的驱动频率很高,因为s-d极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
问题4:看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说,是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
可以的,脉冲调制,相当于调节了输出的平均电流。可以控制亮度的。。看看这个程序吧,控制IGBT的导通时间来调节吧。具体我也没用过呢。
直接驱动不行的,我以前做BUCK电路用的是三极管驱动电路,性能很好。前一级电压放大,后一级推挽式输出电流放大,有很大的驱动能力,速度也跟得上,Vc、VGS、VDS三者可以相同,具体看情况取值,三极管可选SS8050和SS8550。
不能的。低位管还有可能勉强驱动,高位管肯定不可以。除非你的全桥供电电压和单片机一样(一般不会这么低),并且是互补管构成全桥。
第三种方案: 是最彻底的单片机控制开关电源, 但对单片机的要求也高。要求单片机运算速度足够快, 且能输出足够高频率的PWM波。DSP 类单片机速度够快, 但价格也很高, 占电源总成本的比例太大, 不宜采用。
IRF3205 或IRF4905 等场效应管就可以,我弄这做过驱动电机的H桥电路,不错 这就是三脚的,功率较大。当然也还有其他的。
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