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如何驱动mos管（mos管用什么驱动）

发布时间：2023-07-23
阅读量：26

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BUCK电路中MOS管如何驱动?

1、使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。

2、建议：设计一个原理图，然后自己做板子调试。

3、题主是否想询问“buck电路mos管放在负线吗”？放。Buck电路，又称降压电路，其基本特征是DC-DC转换电路，将MOS管移到供电电源的负端，就可用IC输出的信号直接驱动。

4、可以用最基本的BUCK降压电路，采用功率MOS管作为开关管，用3525产生PWM波，占空比用24/500，该PWM波经IR2110放大增强驱动功率MOS管。BUCK电路网上很容易搜到，根据IR2110的中文资料可以连接出驱动电路。

5、如果有器件可以直接承受的话(比如DMOS管)，下面开关用DMOS抗压，上面用5V管镜像即可，后面都用5V就好了；如果没有合适的管子，可以考虑电阻或者MOS管分压 P管麻烦点，你除了SHIFT外，还要做嵌位和放电电路。

氮化镓mos管普通的驱动芯片可以驱动吗?

答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

这个要看你的MOS管是怎么样的，不同的MOS管驱动电流（就是MOS管G级电容充电所需电流）也不尽相同，还要看MOS管导通电压，一般MOS管Vgs 4V以上才开始导通，完全导通需要的电压更高。

和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

所以很有可能是2选1方案。输出接一个74HC14还是接2个都可以，就是说接一个是和输出电平逻辑相反，接两个就相同了，非两次就定于没有非嘛，就只是驱动一下。如果接一个那除了驱动还有非逻辑的作用。

三极管是怎么驱动mos管的?

两个三极管分别负责控制信号正负半周的放大任务，在MOS管基极得到一个完整的信号，并且信号的幅度和强度足够驱动MOS管。

一只三极管驱动MOS，那么MOS的栅源间要加入一个泄放电阻，把Cgs的电荷放掉MOS才能关断。推挽驱动MOS管，由于有一个管子导通另一个管子截止，所以N型管给MOS充电时，P型管截止，MOS可以顺利导通。

两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。

答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

增大充电电流是快速充电电容的关键所在。这样的充电电流同常达到安A级以上，这是单片机io口所不能达到的，所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。

从外边看起来就像是在基极加了驱动电压，然后在集电极产生了放大后的电压。实际上BJT是个电流放大器件。MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度，实现沟道（漏极）电流控制。MOSFET是个电压控制电流的器件。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。然后，再确定输出电流大小，根据电流大小，尽可能选择低内阻MOS管，这意味着其允许输出电流越大，发热越小。

如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

首先肯定要确定你需要的工作电流，峰值电流，最高耐压。Rdson的值大小，不影响开关损耗，开关损耗是交越损耗，由功率管的开关速度决定。导通内阻，是影响到导通损耗。

电路和三极管差不多。区别就是一个是电流驱动元件，一个是电压驱动原件。原理都差不多。作用也差不多。只是从理论上来说，MOS管线性更好一些，接近电子管里面的五极管。FET管接近电子管里面的三极管。

如何用3.3V单片机驱动mos管

要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。

单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。

你好：你的单片机的IO是开漏输出的，因此你加的R26这个上拉电阻，但R26取值100K有点大，把R26减小如改为10K看看，如果还高就再减小。

两图高速都不理想，上图开通70n03的速度太慢，下图 关断7n03的速度太慢。

V单片机驱动5V、12V继电器，不宜用mos管，MOS管开通电压较高，3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子，12V时最好用NPN管子。

在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。

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