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1、MOS管的特性：它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
2、开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。
3、所以N型s极经常接地，g极常有弱下拉。同理P型管要让它饱和导通或深度截止，S-G的压差也要维持在特定范围。 开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外，就是让所产脉冲符合上述要求的电压。
1、是的！AO3401在这个电路中是起到开关作用，当VBUS端输入低电平时，Q101P沟道VMOS管AO3401的2脚栅极也为低电平，于是，1脚D漏极与3脚源极之间导通，将+5V VCC连接到VBUS端。
2、当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
3、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
4、原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。通过输入端两个串联电阻的分压，栅极G的电位是低于源极的，这样就使得Ugs＜0，适当调节分压电阻值，可达到Ugs≦UTP，PMOS管就导通了。
5、此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
①TTL集成电路的电源电压不能高于＋5V使用时，不能将电源与地颠倒错接，否则将会因为过大电流而造成器件损坏。
)为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。2)各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性。
补充资料：自对准技术 微电子技术中利用元件、器件结构特点实现光复印自动对准的技术。
要注意电烙铁的绝缘性能不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，最好把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心，能采用6~8V的低压电路铁就更安全。要保证焊接质量焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。
MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。
1、除了IRF840是MOS管手册里面的型号以外，其他的型号（你想比较的。代替的）均不存在。请仔细核对一下。
2、IRF840是个N沟道场效应管。500V 8A。
3、图真的好模糊，左边2个应该是这个开关电源PWM的电路中的功率开关管，负责斩波；右边那个看电路有点象一个线性稳压调节中的调整管。
P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。N沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个负数值。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
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