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。光电导效应对应的器件是光电导探测器，包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器，包括光电池、光电三极管等；3。
光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。
内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
外光电效应。在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应，又称光电导效应。
光电子发射：现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类，常见的元器件有LED（发光二极管）。光电导效应：光敏电阻。
内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类：（1） 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
1、光电二极管的工作原理：光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。
2、光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。太阳能电池对光电转换材料的要求是转换效率高、能制成大面积的器件，以便更好地吸收太阳光。
3、这些器件的工作原理都是利用物理或化学反应来检测光。例如，光敏电阻是由一种光敏材料制成的，这种材料在接收到光照射时，会产生电流。而光电二极管和光电晶体管则是利用光照射来改变其内部电场，从而改变其导通性。
4、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。
5、工作原理：光电开关将输入电流在发射器上转换为光信号射出，接收器根据接收到的光线的强弱或有无对目标物体进行探测。光电开关是利用被检测物对光束的遮挡或反射，由同步回路接通电路，而检测物体的有无。
6、由于光电开关输出回路和输入回路是电隔离的（即电缘绝），所以它可以在许多场合得到应用。
1、光电子器件主要有作为信息载体的光源、辐射探测器、控制与处理用元件器件、光学纤维、显示显像器件。
2、主要内容有：半导体光电 探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD 和CMOS 成像器件、致冷和非致冷红外 成像器件、紫外成像器件、X 射线成像器件。
3、分立器件：具有一定电压电流关系的独立器件，包括基本的电抗元件、机电元件、半导体分立器件（二极管、双极三极管、场效应管、晶闸管）等。
1、光谱特性主要反映光电器件可以响应那个波长范围的光，范围之外无光电转换效率或效率很低；频率特性则是反映光电器件对信号的响应速度，频率特性低的器件无法正常响应高频调制信号。
2、光电效应分为外光电效应和内光电效应，其中内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应，光电导效应需要给电路加电压，而光生伏特不用。这三种光电效应的区分很简单，就是在光线作用下，它们电子的变化是不一样的。
3、光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件，它本身具有放大功能。光电三极管也是一种晶体管，它有三个电极。当光照强弱变化时，电极之间的电阻会随之变化。
1、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。
2、原理是光照度改变使光敏电阻阻值的改变，而引起光敏电阻两端电压的改变。电压变化信号通过传感器传到计数器上计数计时。光电门一端有个线性光源，另一端有个光敏电阻，门中无物体阻挡时光照射到光敏电阻上。
3、光电式传感器就是以光电器件作为转换元件的传感器，可以直接测量光量（数值上等于光通量乘以时间所得之积的光能）的变化了。
4、这是现在最常用的光学传感器，这种光学传感器是将发射器和接收器相互分离。能够检测比较大的物体。其原理和槽型光学传感器基本相同，在这里就不详细介绍了。
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