光耦测耐压（光耦输出端耐压）

发布时间：2023-07-24

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1、光耦器件的输入、输出侧在电路中串有限流电阻，在上电检测中，可用减小（并联）电阻和加大电阻的方法（将其开路）等方法，配合输出侧的电压检测，判断光耦器件的好坏。

2、判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。

3、检测光耦的好坏，可以在板带电的情况下，测输入驱动波形和输出驱动波形：如果仅有输入没有输出，那光耦肯定有问题；如果输入和输出波形都有，那就说明光耦没问题。这时可以查电源和驱动信号是否正常等等。

4、指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。光电效应判断法。仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路。

5、用数字万用表如何测光耦的好坏方法有两个：断开输入端电源，用R×1k档测2脚电阻，正向电阻为几百欧，反向电阻几十千欧，4脚间电阻应为无限大。

6、分别测量两边的阻值；一边正反两面都无穷大，这边接电源初极，另一边正测有6-8K阻值，则说明光耦是好的。

1、光耦TLP350与TLP351不能互换，TL315可以代替TLP350，但TLP350代替TLP351则需要考虑需要替换的条件。

2、入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。1入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。

3、最大工作温度： TLP350最大工作温度为70℃，而TLP350H最大工作温度为110℃。隔离电压： TLP 350隔离电压为3750Vrms（最小），而T LP 35 0 H 的隔离电压为5000Vrms（最小）。

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正向工作电压可在输入特性曲线查出，通常在4V左右。

正向耐压指在设定的条件下，光电耦合器在正极电压升高到一定值时，仍能保持正常的工作状态而不产生击穿或损坏的能力。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

光耦的主要性能特点如下：①隔离性能好，输入端与输出端完全实现了电隔离，其绝缘电阻RISO一般均能达到1010Ω以上，绝缘耐压VISO在低压时都可满足使用要求，高耐压一般能超过lkV，有的可达10kV以上。

光耦测耐压（光耦输出端耐压）

光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7V，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

根据市场上常见的光耦规格，其耐压值一般在几百伏至数千伏之间，其中最高可达到数千伏的等级，具体取决于工作电压、绝缘材料以及结构设计等因素。

正向耐压指在设定的条件下，光电耦合器在正极电压升高到一定值时，仍能保持正常的工作状态而不产生击穿或损坏的能力。

同第一类光耦器件一样，对输入电压/电流有极性要求。当形成正向电流通路时，输出侧两引脚呈现通路状态，正向电流小于一定值或承受一定反向电压时，输出侧两引脚之间为开路状态。