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从理论上讲，功率MOSFET的扩容可以通过串联和并联两种方法来实现，实际使用中考虑到其导通电阻RDS(on)具有正温度系数的特点，多采用多管并联来增加其功率传导能力。
电力MOSFET并联运行时注意：Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。 电路走线和布局应尽量对称。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
栅的确是用一条长栅连在一起的，小方块应该是打的过孔吧，比如说金属1连到栅的（M1-Gate）的孔，这样方便后面的连线。
较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
一般布局时选择50mil网格，布线选择5mil网格，孔距和器件距离设为25mil（让器件之间可以走线）板边的铺铜要距离板边20mil。PCB板上延时为0.167ns/inch.。
PCB布线有单面布线、 双面布线及多层布线。布线的方式也有两种：自动布线及交互式布线，在自动布线之前， 可以用交互式预先对要求比较严格的线进行布线，输入端与输出端的边线应避免相邻平行， 以免产生反射干扰。
：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。
影响功率MOSFET并联均流的外电路[2]参数主要包括：栅极去耦电阻Rg、栅极引线电感Lg、源极引线电感Ls、漏极引线电感Ld等。在多管并联时一定要尽量使并联各支路的Rg及对应的各引线长度相同。
锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。
如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2到5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。
理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
并联可以增加电流。但是电流不能加倍，因为两支管子的电流不可能均等相分，二极管是负温度系数元件，只要电流有一点差异，电流大的发热大，电阻减小，分到的电流就更大，发热就更大……不能自动平衡电流。
并联运用可以增大通过的电流，但是不能增加耐压，电流大了功率也能相应增大。
mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。
MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。
主要是扩流和自动均流的作用。在需要大电流的场合，有时候一个管子不够用，而买更大容量的单管，一方面成本吃不消，另一方面也很难买，所以就考虑MOS管并联的方法，此时总电流就等于各并联支路的电流之和。
这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。
理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
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