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一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
直流电路中可控硅关断和可控硅工作原理有关，可控硅一但导通，就与触发极无关，要想让可控硅关断必须是阳级回路断电，或在阳极回路加反向电压，所以直流电是不能用普通可控硅原件来控制的。
可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
可控硅经触发导通以后，控制极就失去控制作用，要可控硅截止，只有降低阳极电流，当阳极电流小于维护电流时，可控硅就关断。\x0d\x0a维持电流就是阳极与阴极之间的电流，在可控硅的参数中，都会有这一个指标值。
一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
单向可控硅是根据控制触发时间来控制什么时候导通的，没有导通状态下它就相当于是一个二级管。在交流电路中电源正半周有触发便通，电压过零时自动截止。直流电路中一旦通了便不会截止。
可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件：一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
1、普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。
2、如果电源来自交流，可用可控硅作为整流器件，仅起开关作用的话用直流控制可控硅的触发极就可以了；电源是脉冲直流电也可以用同样的方法控制；但如果电源是直流，用可控硅只能控制导通而无法关断，要关断只能用如IGBT这样的器件。
3、因此在直流电路中只要其电流不小于维持电流，可控硅是不会关断的。在交流电路中的由于交流电流的大小和方向都会在变化，因此在去掉控制电压时导通的半波过后可控硅就自动关断了。在交流电流中使用的是双向可控硅。
4、是比较常用的半导体器件之一。可控硅的关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
5、如图为T2正极，T1负极的样式，如果将电池极性反接，可以形成T2负极，T1正极的样式。注意：双向可控硅关断必须主电路电流低于几毫安，或几十毫安，直流电路一般使用极性反向来关断。触发时间大于几毫秒，或几十毫秒。
1、\x0d\x0a在交流电经全波或半波整流以后，变成脉动电流，会自动过“零点”，可控硅就能关断；在直流电路中，要关断可控硅就比较复杂一点。
2、普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。
3、可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
4、等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件：一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
5、是比较常用的半导体器件之一。可控硅的关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
6、这是个延时断电电路。单向可控硅，前面有全桥整流当然工作在直流了。按下SB电容充电，当达到触发电压可控硅导通H灯亮，此后电容电压逐渐降低（延时），可控硅关断，H灯灭。
可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
\x0d\x0a在交流电经全波或半波整流以后，变成脉动电流，会自动过“零点”，可控硅就能关断；在直流电路中，要关断可控硅就比较复杂一点。
晶闸管(可控硅)仍然导通。 智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。
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