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本来三极管的放大作用是电流放大,将Ib放大成为Ic。在Rc上,其压降VRc=Ic×Rc,所以VRc反应了与电流信号Ic变化相同的电压信号,如果将这个电压作为输出电压,也就是三极管将电流放大的作用转变为电压放大了。
晶体管放大电路本质上是电流放大器件,就是用基极输入的小电流变化,来控制集电极输出的比较大的电流变化。
所以,Rc就相当于“银幕”,它可以使变化的集电极电流在自身上产生变化的电压,由于电源电压Vcc是恒定的,而电源电压减去Rc上的电压,才是Uce,也就是C到E的电压才能发生变化。
b 集电极负载电阻 R C : 将三极管集电极电流的变化转变为电压变化,以实现电压放大。
集电极负载电阻Rc的作用是将放大后的电流转换为输出电压。发射极电阻一般是作为负反馈。
1、C3866即2SC3866,小日本的型号, 参数 :NPN、 900V 、3A、40W。可用2SC297 2SC3178 代换。用万用表测BE、CE看是否开路、短路。
2、C3866即2SC3866,小日本的型号, 参数 :NPN、 900V 、3A 、40W。可用2SC297 2SC3178 代换。用万用表测BE、CE看是否开路、短路。
3、c3866即2SC3866(2S往往简略);国外主要有2个公司生产此产品:科尔默半导体有限公司和东芝电子公司;主要参数:3A;800V;NPN;硅管;功率管;管脚排列BCE。如需要更加详细参数请提出。
4、C3866即2SC3866, 参数 :NPN、 900V 、3A 、40W。可用2SC297 2SC3178 、2SC3559或者 2SC3979 来代换。想要选择其他型号的三极管来替换C3866,首先需要确定C3866的各项参数,这一点可以通过查找其datasheet得到。
5、b极悬空,你测量c-e两极是导通的,这可能是管子击穿损坏了。一般加在管子c-e两极的电压不要超过三极管的BVceo,否则可能击穿损坏。当然,若你测量的管子是锗三极管,那可能是该管的Iceo太大所致。此时管子不一定是坏的。
6、三极管的特性:发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。
1、RC是集电极负载电阻,它的作用是给三极管提供一个工作电压,在放大电路中,这个电阻用于隔离直流和交流的作用。
2、三极管的放大作用是电流放大,将Ib放大成为Ic。在Rc上,其压降VRc=Ic×Rc,所以VRc反应了与电流信号Ic变化相同的电压信号。如果将这个电压作为输出电压,也就是三极管将电流放大的作用转变为电压放大了。
3、你这个问题既是关系到器件物理、又是关系到器件应用的好问题。在应用电路中,晶体管的输出电阻确实是Rc//Rl,计算电压增益的时候就是这样处理的。
4、使三极管工作在放大状态,偏置电阻不能删除,如果删除三极管将不再处于放大状态,也将失去作用。另外左边的那个电阻Rc叫集电极直流负载电阻,主要作用是将集电极放大的电流转变为放大的电压,从而完成电压放大的功能。
5、RB的作用是给三极管一个好的静态工作点,而RC则用于限制集电极电流,同时控制三极管的电压增益。当RC增大时,Au会增加,但三极管本身还有一个B(希腊字母贝塔),也就是交流放大系数,Au不可能高于这个值。
6、集电极电阻的另一个主要作用是把集电极电流的变化转换为电压变化,如果没有集电极电阻Rc,三极管集电极就只能输出随基极电流而变化的电流,不能输出变化的电压,而在大多数场合下是需要电压输出的。
上面的图就是一个最简单的振荡电路,叫做RC相移振荡电路。但是这种电路只适用于产生较低频率的信号。下面是一个可以产生高频信号的振荡电路,但是下面的电路包括了音频输入、调制、发射等功能。不算是最简单的。
用一个三极管控制LED灯让其按固定频率闪烁的原理,就是用1个三极管和电阻、电容组成振荡电路,负载为LED。电路如下:RC相移振荡电路 上图是典型的超前型RC相移振荡电路, 它是由一个反相放大器和一个移相反馈网络组成的。
R、C、三极管,可以组成一个简单的RC振荡电路,如果必须用到你的元件的话,那这个就不适合,如果是为了做一个振荡电路的话你不妨试试下图的这个LED轮流闪烁的振荡电路。
LC振荡电路的辐射功率是和振荡频率的四次方成正比的,要让LC振荡电路向外辐射足够强的电磁波,必须提高振荡频率,并且使电路具有开放的形式。
1、要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即ib≥ibs。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(uces)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式uce=ec-icrc,所以ibs=ics/β=ec-uces/β≈ec/βrc。
2、由电阻Rb和Rc对Ucc电压的调节,就可以实现基极,集电极和发射极电势的差异,从而起到发射极正偏,集电极反偏的效果,这是电路静态工作的状态。
3、ib很大(几百uA)那么三极管就会饱和。如果ib非常大(几十毫安),准备换三极管吧,它马上就要烧坏了。
4、RB增大会使静态工作点Q过高,放大的集电极电流ic的正半周进入饱和区,产生上截幅失真。
5、就可以马上知道三极管是否处于饱和:Ic=βIb,这里已知Ib=3mA,是否处于饱和就与Rc有关了,比如Rc=1K,如果不考虑三极管的饱和压降其最大电流也不过5mA,和3mA相差不大,所以这时三极管饱和了。
6、三极管的基极电位被拉低,三极管截止,L输出为高电平(1),当输入A与输入B都是高电平(1)时,三极管的基极电位被上拉电阻Rb拉高,三极管进入饱和状态,L输出为低电平(0),这样就实现了与非门的逻辑功能。
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