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耗尽型场效应管 ：具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
SJ76，－140V，－500mA 。2SJ77，－160V，－500mA 。2SJ146，－50V，－100mA 。2SJ146，－60V，－200mA 。2SJ167，2SJ168，－60V，－200mA 。2SJ209，－100V，－100mA 。
这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。
me9435是一个MOS场效应管集成块，其实就是一个场效应管。最大工作电流5A、耐压30V、P沟道的MOS管。常用于液晶电视高压板电路。也用于笔记本电源管理电路。
me9435是一个MOS场效应管集成块，就是电流5A、耐压30V、P沟道的MOS管，可以用来做电子开关作用，1 2 3脚是输入电压，5 6 7 8是输出，4脚电平输出。贴片sop-8脚封装形式。
P65AD就是AP9435，P沟场效应管。P沟30V参数20A，50mΩ，31W。功率MOSFET场效应管从驱动模式上看，属于电压型驱动控制元件，驱动电路的设计比较简单，所需驱动功率很小。
上楼真是混蛋，人家是在问电池保护电路的一个双MOS管开关芯片，这个芯片里面集成了二只N沟道MOS增强型场效应管，上楼神经失常的回答手机型号方面去了，相当人家问的是水果，你却回答成蔬菜。
B不是那么好换的，不要听他们的，首先你连坏的原因都不知道，换了还是坏。用在笔记本电源上面的原因更复杂。由2个4800变化好多电压，17伏，3伏，5伏，12伏都有，用于充电的只有12伏。
型号： BSS138DW 描述： dual N-channel mosfet 封装： SOT-363 印记： K38 三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。
可能太多了.推荐IRF540(100V28A)这个应该够了一般两三块钱一个，其他的还有50N06(60V60A)，IRFZ48(40A65V）之类大概都能用。
而MOS管在锂电池保护板上使用2pcs作为充放电保护，而在实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOS管并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。
V4400mAh。空调服锂电池保护板主要有IC，MOS管，电容，电阻，PTC，NTC，ID，PUSE等等组成的，型号参数是4V4400mAh。容量可定制。“锂电池”，是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。
V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
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