mos管参数测试方法（mos管性能参数测试）

发布时间：2023-07-25

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如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。（整体如图）根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。

把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右(数字万用表)，三次读数应基本一致。

mos管参数测试方法（mos管性能参数测试）

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。

可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。

1、引线数量：3 大功率MOS管60N10的检测方法：准备测量前，在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连，使人体与大地保持等电位，再把管脚分开，然后拆掉导线。

2、用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

3、无论欧姆表探头的连接如何，功能良好的mos管10N65都应指示高漏源电阻。也可以用万用表检查漏源电阻。将万用表置于电阻模式开始测试，万用表电阻读数应高到以兆欧为单位。

4、在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

1、用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。

2、用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。

3、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

4、测量CPU供电管，红表笔接地，黑表笔依次测量MOS管的G极对地的阻值，一般为460-680不等，如果太小了就要把上面的管子取下来测量。取下后先短接G D S三个电极，然后测量D S极的正反向阻值，正常时只有一个阻值。

．判别其好坏。用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

可以用万用表测量场效应管的好坏。使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。场效应管英文缩写为FET。

判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏，就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。