mos管实物（mos管实物图怎么确定引脚?）

发布时间：2023-07-25

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短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。

mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易找的，当然你也可以用大于5A的来代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0的情况下工作。

置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若电阻很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。在每次测量前都必须将三个极短路放电。

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

这是一个主动pfc，类似升压电路，将整理后未滤波的脉动直流斩波后再整流滤波。

PFC电路，在整流桥后面，主滤波电解前面的那个电路，主要元件是一个开关变压器和开关管。

常见的PFC电路有单级整流PFC电路和双级整流PFC电路两种。单级整流PFC电路通常采用整流桥和直流电容器实现，而双级整流PFC电路则在单级整流PFC电路的基础上增加了一个DC-DC转换器，以进一步提高功率因数和效率。

PFC就是“功率因数”的意思，主要用来表征电子产品对电能的利用效率。功率因数越高，说明电能的利用效率越高。PFC有两种，一种是无源PFC（也称被动式PFC），一种是有源PFC（也称主动式PFC）。

1、这个压差表现出来的结果就是所谓的静电积累现象，由于MOS管的G是个高阻抗，故而两端积累的电荷得不到中和会不断积累，而且存在很小的结电容，根据C = Q/ U可得U = Q / c，显然很少量的一点Q就能得到很大的U。

2、电路上的PMOS从D到S一直能够走电流的，只是当VGS为负压时MOS管打开，内阻很小，当5V未供电时，G那里有下拉电阻电位为0V，S那里有锂电池过来的电压这样PMOS就打开了。

3、如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电，所以栅极的电压其实还是基本维持在5V，越大的MOS管电容也就越大，这个现象也就越严重。

4、电路逻辑有问题。P沟道FET管必须加正电压才能截止，而你这个电路的正电压必须由导通的FET供应，如果管子截止了，24V电源就不再存在，管子就会重新导通………最后维持在半通不通状态。如果改用独立电源控制它，问题就能解决。

5、MOS管内部有反接的寄生二极管，N沟道管子的漏极加了 -12V的负电压当然就会导通，无需经过控制。

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